Prova CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica

Questão 338134

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Materiais Elétricos

Com relação ao cristal de silício e à operação física de componentes semicondutores, assinale a opção correta.

• A. Um cristal de silício puro ou intrínseco tem uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações iônicas, formadas por três elétrons de valência, os quais estão associados a cada um dos átomos de silício.
  
• B. No cristal de silício puro ou intrínseco, as ligações covalentes formadas pelos quatro elétrons de valência de cada átomo estão completas, e, tanto a temperaturas muito baixas como à temperatura ambiente, não há disponibilidade de elétrons livres para a condução de corrente elétrica. Essa propriedade torna o silício intrínseco um isolante elétrico.
  
• C. As lacunas e os elétrons se movem através de um cristal de silício por dois mecanismos: difusão e deriva. A deriva consiste no movimento aleatório dos portadores devido à agitação térmica, associado a gradientes de concentração de portadores. A difusão é o movimento de portadores que ocorre como resultado da aplicação de um campo elétrico a uma região com elétrons e lacunas livres.
  
• D. Elétrons e lacunas têm mobilidades diferentes no cristal de silício intrínseco; as lacunas têm uma mobilidade superior a duas vezes a dos elétrons.
  
  
• E. Na construção de transistores bipolares de junção do tipo NPN, é comum que o emissor seja fortemente dopado e que a base seja levemente dopada, de forma que o dispositivo tenha uma alta densidade de elétrons (portadores) no emissor e uma menor densidade de lacunas na base.

Gabarito: E

Questão 338149

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica

Com referência às características de amplificadores operacionais ideais e reais, assinale a opção correta.

• A. A impedância de saída de um amplificador operacional (AO) ideal é igual a 0 volt.
  
• B. O ganho em malha aberta de um AO ideal é igual a 1.
  
• C. Quando um AO real é usado para se construir um amplificador não inversor, a realimentação negativa faz que a impedância de entrada desse amplificador seja menor que a impedância de entrada do AO em malha aberta.
  
• D. Quando um AO real é usado para construir um amplificador que utiliza realimentação negativa, a banda passante do amplificador realimentado é menor que a banda passante do AO em malha aberta.
  
• E. Amplificadores operacionais reais com entrada a JFET têm correntes de polarização maiores que os amplificadores operacionais com entrada a transistor bipolar.

Gabarito: A

Questão 338161

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica; Lógica Binária e Hexadecimal

O número 357 na base dez corresponde a

• A. 1101101, na base dois.
• B. 348, na base oito.
• C. 165, na base dezesseis.
• D. 216, em código BCD.
• E. 319, na base cinco.

Gabarito: C

Comentários

• 357 / 16 = 22 (resta 5)

  22 / 16 = 1 (resta 6)

  e no quociente (sobra 1)

  A partir do último quociente que não dá mais para dividir, Junta a todos os restos de baixo para cima o que nos dá (165) e teremos que o número 357 é o mesmo que 165 na base 16.

Questão 338164

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.

• A. Para que as portas lógicas TTL do tipo tri-state funcionem corretamente, é necessário que se conecte, entre a saída da porta e a tensão de alimentação, um resistor de pull-up.
  
• B. Portas lógicas do tipo CMOS utilizam tanto transistores PMOS como transistores NMOS em sua fabricação. Em virtude de diferenças na mobilidade de elétrons e lacunas, é comum que os transistores PMOS e NMOS em um mesmo circuito integrado tenham dimensões diferentes.
  
• C. Por utilizar transistores maiores, circuitos integrados fabricados com a tecnologia CMOS apresentam consumo de potência maior que os dispositivos fabricados com tecnologia TTL.
  
• D. O consumo de energia de dispositivos fabricados com tecnologia CMOS independe da frequência de operação do relógio (clock) que controla o dispositivo.
  
• E. As portas lógicas TTL, que são construídas a partir de transistores bipolares e transistores NMOS, apresentam a vantagem de não necessitarem da implementação de resistores integrados.

Gabarito: B

Comentários

• Alguem sabe, dizer porque a letra a) está errada?

• O erro provavelmente está no necessário. Como eh um circuito TTL tri-state talvez no design do circuito aquele ponto mesmo em HiZ nao seja influenciado. Caso ele precise daquele valor sempre entre 0 ou 1, seria de fato necessário um Rpu.

Questão 338167

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

Para realizar medidas de determinada tensão elétrica, cujo valor exato é conhecido e é igual a 100,00 volts, foram usados 4 diferentes dispositivos de medição — denominados medidores 1, 2, 3 e 4. Com cada medidor, foram feitas cem medidas da tensão e os resultados apresentavam-se um pouco diferentes a cada medida, com uma distribuição gaussiana, conforme apresentado a seguir.
> medidor 1: média 110,12 V e desvio padrão 0,07 V (média errada, baixa dispersão)
> medidor 2: média 100,00 V e desvio padrão 7,58 V (média certa, alta dispersão)
> medidor 3: média 100,00 V e desvio padrão 0,03 V (média certa, baixa dispersão)
> medidor 4: média 112,71 V e desvio padrão 6,32 V (média errada, alta dispersão)
Com relação a essa situação, assinale a opção correta.

• A. O medidor 1 apresenta um exemplo de erro aleatório.
• B. O medidor 2 apresenta um exemplo de erro sistemático.
• C. O medidor 3 apresenta a melhor precisão e a melhor exatidão.
• D. O medidor 4 apresenta boa exatidão, mas precisão ruim.
• E. O medidor 2 apresenta maior precisão que o medidor 1.

Gabarito: C

Questão 338179

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Arquitetura na Engenharia Eletrônica; Sistemas Embarcados

Em determinada aplicação, um microprocessador é usado como parte de um sistema de controle, em conjunto com memórias semicondutoras e dispositivos de entrada e saída. A esse respeito, assinale a opção correta.

• A. Para armazenar um programa que deve permanecer na memória quando o computador for desligado, deve-se utilizar uma memória RAM, que é não volátil.
  
  
• B. Se o microprocessador e as memórias se comunicam com o uso de um barramento de dados, então os pinos de dados do microprocessador e da memória conectados ao barramento nunca deverão assumir o estado de alta impedância.
  
  
• C. Para o armazenamento de dados durante o processamento, os quais podem ser apagados quando o computador é desligado, a memória ROM é a mais adequada para uso, por ser volátil e permitir a escrita de dados por parte do microprocessador.
  
  
• D. A memória EPROM é não volátil e permite a escrita de dados que não são perdidos com o desligamento da energia do sistema. Os dados armazenados nesse tipo de memória podem ser apagados com o uso de luz ultravioleta aplicada por uma janela no chip.
  
  
• E. As memórias EEPROM são não voláteis e permitem apenas uma escrita, já que os dados gravados não podem ser apagados.

Gabarito: D

Comentários

• Letra "d" - A memória EPROM é não volátil e permite a escrita de dados que não são perdidos com o desligamento da energia do sistema. Os dados armazenados nesse tipo de memória podem ser apagados com o uso de luz ultravioleta aplicada por uma janela no chip.

Questão 338182

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Engenharia de Áudio e Telecomunicações

Uma onda eletromagnética é capaz de transportar energia, e a taxa de transporte de energia por unidade de área é dada pelo vetor de Poynting. Com relação a esse vetor e às ondas eletromagnéticas em geral, assinale a opção correta.

• A. O módulo do vetor de Poynting tem a unidade de energia/comprimento. No Sistema Internacional de Unidades (SI), uma unidade adequada para o módulo do vetor de Poynting é J/m.
  
• B. Se uma fonte pontual emite radiação eletromagnética isotropicamente, então, no vácuo, a intensidade da onda não varia em função da distância ao ponto de geração da radiação.
  
• C. Se a onda eletromagnética é plana e polarizada em apenas uma direção, o vetor campo elétrico faz sempre um ângulo de 45 graus com o vetor campo magnético.
  
• D. Como a direção dos vetores campo elétrico e campo magnético é igual à direção de propagação, as ondas eletromagnéticas são um exemplo de onda longitudinal.
  
• E. A direção do vetor de Poynting é perpendicular tanto ao vetor campo elétrico quanto ao vetor campo magnético.

Gabarito: E

Questão 338188

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica; Lógica Binária e Hexadecimal

Em um conversor analógico/digital de 8 bits, monopolar, as tensões de entrada de 0 volt e 10 volts correspondem, respectivamente, aos números binários 0 e 11111111 (2⁸- 1, em números binários, que são proporcionais aos valores em 0 e 10 volts. Nessa situação, se a tensão a ser convertida for igual a 4 volts, então, o número binário na saída desse conversor será igual a

• A. 10010.
• B. 11011.
• C. 101001.
• D. 1100110.
• E. 11100101.

Gabarito: D

Questão 338191

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Filtros; Filtros Ativos; Filtros Passivos

Um sistema de conversão analógico/digital de sinais contém um filtro anti-aliasing imediatamente antes da entrada do conversor, garantindo que a frequência máxima de uma componente significativa do sinal seja igual a 1.500 Hz. Nessa situação, a mínima frequência de amostragem para que o sinal amostrado possa ser posteriormente reconstruído é igual a

• A. 150 Hz.
• B. 750 Hz.
• C. 1.500 Hz.
• D. 3.000 Hz.
• E. 15.000 Hz.

Gabarito: D

Questão 338194

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

O SI define sete unidades de base, a partir das quais as demais podem ser derivadas. As opções a seguir apresentam unidades comumente usadas na área de eletricidade. Assinale a opção que contém uma das sete unidades de base do SI.

• A. ampère
• B. coulomb
• C. volt
• D. ohm
• E. watt

Gabarito: A

Questão 338197

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

Um dos padrões de medição atuais, que é um protótipo internacional, é um artefato com forma de um cilindro de platina (90%) e irídio (10%). Assinale a opção que contém a unidade representada por esse padrão.

• A. metro
• B. coulomb
• C. mol
• D. ângulo sólido
• E. quilograma

Gabarito: E

Questão 338200

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

Com relação a calibração e conceitos correlatos, assinale a opção correta.

• A. No método de calibração indireta de um sistema de medição, um padrão, composto por uma medida ou um conjunto de medidas materializadas, é diretamente aplicado sobre o sistema de medição a calibrar, e o valor de referência padrão é comparado com a indicação do sistema de mediação a calibrar.
  
  
• B. No método de calibração direta de um sistema de medição, não existem medidas materializadas. Nesse método, a grandeza a ser medida é gerada por meio de um dispositivo auxiliar. A grandeza gerada não precisa ser bem conhecida, mas deve ser estável, e deve ser medida pelo sistema a calibrar e por um sistema de medição padrão. As duas medições são comparadas e usadas no processo de calibração.
  
  
• C. Rastreabilidade é a propriedade do resultado de uma medição ou do valor de um padrão de estar relacionado a referências estabelecidas, geralmente a padrões nacionais ou internacionais, por meio de uma cadeia contínua de comparações, todas tendo incertezas estabelecidas.
  
  
• D. Aferição é um termo antigo que caiu em desuso desde o ano de 2000, não sendo mais aceito como parte do vocabulário de metrologia legal. Quando sua utilização ainda era aceita, esse termo era sinônimo de calibração.
  
  
• E. Um procedimento relacionado à calibração é a verificação. A verificação é o procedimento de realizar uma medida muito mais complexa e precisa que a calibração usual. Como a verificação é muito mais complexa e cara que a calibração, ela só é realizada raramente, em casos de alta repercussão, que requerem auditorias precisas.

Gabarito: C

Comentários

• A) No método de calibração direta de um sistema de medição, um padrão, composto por uma medida ou um conjunto de medidas materializadas, é diretamente aplicado sobre o sistema de medição a calibrar, e o valor de referência padrão é comparado com a indicação do sistema de mediação a calibrar.

  B) No método de calibração indireta de um sistema de medição, não existem medidas materializadas. Nesse método, a grandeza a ser medida é gerada por meio de um dispositivo auxiliar. A grandeza gerada não precisa ser bem conhecida, mas deve ser estável, e deve ser medida pelo sistema a calibrar e por um sistema de medição padrão. As duas medições são comparadas e usadas no processo de calibração.

  C) Correta.

  D) Aferição é um termo antigo que caiu em desuso desde o ano de 2000, não sendo mais aceito como parte do vocabulário de metrologia legal. Quando sua utilização ainda era aceita, esse termo era sinônimo de verificação.

  E) Um procedimento relacionado à calibração é a verificação. A calibração é o procedimento de realizar uma medida muito mais complexa e precisa que a verficação. Como a calibração é muito mais complexa e cara que a verficação, ela só é realizada raramente, em casos de alta repercussão, que requerem auditorias precisas.

Questão 338203

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

Termistores são componentes utilizados em instrumentos para a medição de temperatura. Com relação a esse tipo de sensor e aos instrumentos realizados com eles, assinale a opção correta.

• A. Quanto maior for o tamanho do termistor, maior será a velocidade de sua resposta.
  
• B. Para realizar uma medida, é necessário que uma corrente elétrica passe pelo termistor. Quanto maior for o valor dessa corrente, menor será a possibilidade do efeito de autoaquecimento.
  
• C. Quando usado em faixas de temperatura de 4 dezenas de graus Celsius, a relação entre a resistência R e a temperatura T de termistores NTC pode ser aproximada pela expressão R(T) = k₁ T + k₂ , em que k₁ e k₂ são constantes, com um erro menor que alguns milésimos de ohm.
  
  
• D. Ao contrário dos termopares, que requerem sempre a implementação de um longo processo de calibração, em função de suas características variarem muito para um mesmo tipo de termopar, os termistores são intrinsecamente calibrados, pois não há praticamente diferença na relação entre resistência e temperatura de um termistor para outro de mesmo valor.
  
  
• E. Em vários casos, a velocidade de resposta de um termistor, quando usado para medir temperatura em líquidos em movimento, pode depender da velocidade do líquido cuja temperatura está sendo medida.

Gabarito: E

Questão 338206

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Engenharia de Áudio e Telecomunicações

O ruído é um dos problemas que devem ser minimizados em sistemas eletrônicos de medidas. Com relação a esse assunto, assinale a opção correta.

• A. A tensão de ruído, em volts RMS, gerada em um resistor, quando filtrada de forma a restar apenas a porção de ruído em uma banda passante Δƒ é inversamente proporcional a Δƒ
• B. A tensão de ruído, em volts RMS, desenvolvida em um resistor é diretamente proporcional à raiz quadrada da resistência elétrica do resistor.
  
• C. A tensão de ruído, em volts RMS, desenvolvida em um resistor é diretamente proporcional ao quadrado da temperatura no corpo do resistor.
  
• D. Em uma situação em que três amplificadores de ganho 10 com diferentes níveis de ruído funcionem em cascata, de forma a se obter um ganho total 1.000, para que o nível de ruído total seja mínimo, o amplificador com maior nível de ruído deve vir no primeiro estágio
  
  
• E. A corrente de ruído desenvolvida em um resistor, em ampères RMS, é inversamente proporcional ao inverso do quadrado da temperatura.

Gabarito: B

Questão 338212

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho
• Assuntos: Normas Regulamentadoras de Ministério do Trabalho e Emprego; NR 33 - Norma Regulamentadora n° 33 - Segurança e Saúde nos Trabalhos em Espaços Confinados

Com relação à norma regulamentadora n.º 33 (NR-33), que trata de segurança e saúde nos trabalhos em espaços confinados, assinale a opção correta.

• A. O disposto na NR-33 é de cumprimento facultativo, mas altamente recomendável pelos empregadores.
  
• B. Espaço confinado é qualquer área ou ambiente projetado para ocupação humana contínua cuja ventilação existente é suficiente para remover contaminantes e onde haja suficiência de oxigênio.
  
• C. Uma das medidas recomendadas pela referida norma para espaços confinados é o uso preferencial de ventilação com oxigênio puro.
  
• D. Cabe ao empregador interromper todo e qualquer tipo de trabalho em caso de suspeição de condição de risco grave e iminente, procedendo ao imediato abandono do local.
  
• E. De acordo com a norma NR-33, é opcional, mas recomendável, que todos os trabalhadores autorizados e vigias recebam capacitação periodicamente a cada dois anos.

Gabarito: D

Comentários

• 33.2.1 Cabe ao Empregador:

  i) interromper todo e qualquer tipo de trabalho em caso de suspeição de condição de risco grave e iminente,
  procedendo ao imediato abandono do local;

  33.3.5.3 Todos os trabalhadores autorizados, Vigias e Supervisores de Entrada devem receber capacitação periódica
  a cada 12 meses, com carga horária mínima de 8 horas. (Alterado pela Portaria MTE n.º 1.409, de 29 de agosto de
  2012).

  33.1.2 Espaço Confinado é qualquer área ou ambiente não projetado para ocupação humana contínua, que possua
  meios limitados de entrada e saída, cuja ventilação existente é insuficiente para remover contaminantes ou onde
  possa existir a deficiência ou enriquecimento de oxigênio.

  33.2.1 Cabe ao Empregador:
  a) indicar formalmente o responsável técnico pelo cumprimento desta norma;

  33.3.2 Medidas técnicas de prevenção:

  i) proibir a ventilação com oxigênio puro;

Questão 338218

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Medidas Elétricas

Deve-se projetar e construir um sistema de medição para um sinal com amplitude muito pequena, da ordem de décimos de milivolt, gerado por um sensor. Esse sistema contará com um circuito de condicionamento e aquisição, que digitalizará o sinal para posterior armazenamento em um computador. Um amplificador de diferenças, o primeiro elemento do circuito de condicionamento, será conectado ao sensor por um par de fios relativamente longo.
Com relação a essa situação hipotética, assinale a opção correta.

• A. Para minimizar interferência de modo comum, o amplificador de diferença deverá ter um CMRR (common mode rejection ratio ) menor que 1dB.
  
• B. O dois fios que conectarão o sensor às entradas inversora e não inversora do amplificador de diferenças devem ser posicionados de maneira a formarem uma espira, com grande área, afim de minimizar possíveis interferências por indução eletromagnética.
  
• C. Para diminuir a interferência do circuito digital no circuito analógico, é importante que os terras das partes analógica e digital do sistema sejam distintos, e a malha de terra analógico não deve se conectar em nenhum ponto com a malha de terra digital.
  
• D. Se o sensor tiver impedância de saída alta e variável, a impedância de entrada do amplificador de diferenças deverá ser muito maior que a impedância de saída do sensor.
  
• E. Uma possível forma de reduzir a interferência eletromagnética externa no circuito de medição é cobrindo-o com uma blindagem metálica, que, para ter maior eficácia, não deve ser aterrada ou mesmo conectada ao terra do circuito.

Gabarito: D

Questão 338230

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

• A. Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal N.
  
• B. No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
  
• C. O transistor MOS, quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.
  
• D. No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.
  
• E. Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.

Gabarito: D

Comentários

• Gabarito: D

Questão 338236

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Engenharia de Áudio e Telecomunicações

Considerando que uma barra semicondutora de comprimento L, largura w e espessura s seja percorrida por uma corrente elétrica no sentido do comprimento, que está posicionado na direção x, e esteja sujeita a um campo magnético perpendicular aplicado na direção z, assinale a opção correta.

• A. A diferença de potencial entre os dois lados da barra é zero.
  
• B. Se a barra semicondutora for do tipo N, aparecerá uma força magnética na direção negativa de y atuando sobre os portadores de carga.
  
• C. Quando as forças elétricas e magnéticas que atuam sobre os portadores de carga se igualarem, aparecerá uma diferença de potencial constante entre os lados da barra, que é conhecida como tensão Hall.
  
• D. A intensidade do campo magnético aplicado não influencia no valor da tensão Hall.
  
• E. A polaridade da tensão Hall é a mesma para a barra semicondutora do tipo N e para a barra semicondutora do tipo P.

Gabarito: C

Questão 338239

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Elétrica
• Assuntos: Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica; Materiais Elétricos

Assinale a opção correta com relação aos materiais isolantes, condutores e semicondutores.

• A. Todo material semicondutor é isolante à temperatura de 0 K, logo, todo material isolante será semicondutor para temperaturas maiores que 0 K.
  
• B. A condutividade de um material condutor é função das concentrações e das mobilidades de seus dois tipos de portadores: elétrons e lacunas.
  
• C. O tamanho da região de energia proibida é maior no material semicondutor que no material condutor.
  
• D. A constante de proporcionalidade entre a densidade de fluxo elétrico e o campo elétrico é chamada de permissividade elétrica.
  
• E. A junção entre um material condutor (por exemplo, um metal) e um material isolante é conhecida como junção Schottky.

Gabarito: D

Comentários

• Qual o erro da alternativa c)?

• um condutor não possui regiao proibida

• A junção entre um material condutor (por exemplo, um metal) e um material SEMICONDUTOR é conhecida como junção Schottky.

• Gabarito

  A constante de proporcionalidade entre a densidade de fluxo elétrico e o campo elétrico é chamada de permissividade elétrica.