Questão 1952416

• Banca: IADES
• Órgão: PC-DF
• Ano: 2016
• Provas: IADES - 2016 - PC-DF - Perito Criminal - Ciências Biológicas
• Disciplina: Física
• Assuntos: Campo e Força Magnética; Magnetismo

O advento da técnica de microscopia eletrônica de varredura (MEV) possibilitou muitos avanços na área forense, tornando-a rapidamente uma das ferramentas mais poderosas, eficientes e precisas. O princípio de funcionamento da MEV baseia-se na geração de um feixe de elétrons a partir de um filamento envolto em um campo com diferença de potencial, que direciona o feixe.

DOREA, L. E.; QUINTELA, V.; STRUMVOLL, V. P.; TOCCHETTO, D.

Criminalística. 4. ed. Campinas: Millennium Editora, 2010, com adaptações. 

A interação do feixe de elétrons com a amostra origina uma série de fenômenos físicos, os quais podem ser medidos por vários detectores. Entre eles, os mais comuns detectam elétrons

• A. transmitidos, que indicam a composição da amostra, e elétrons espalhados, que fornecem informações quanto à topografia da amostra.
• B. transmitidos, que fornecem detalhes do interior da amostra, e elétrons retroespalhados, que indicam a morfologia da amostra.
• C. primários, que fornecem dados quanto à superfície da amostra, e elétrons secundários, que permitem identificar a composição e topografia da amostra.
• D. secundários, que fornecem informações quanto à superfície da amostra, e elétrons retroespalhados, que fornecem informações quanto à composição e topografia da amostra.
• E. livres, que fornecem informações quanto à morfologia da amostra, e elétrons de camadas mais internas, que indicam a composição da amostra.

Gabarito: D

Comentários

• Gabarito: Alternativa D

   

  Elétrons Secundários: os elétrons secundários no MEV resultam da interação do feixe eletrônico com o material da amostra. Estes elétrons resultantes são de baixa energia (, e formarão imagens com alta resolução (3-5 nm). Na configuração física dos MEV comerciais, somente os elétrons secundários produzidos próximos à superfície podem ser detectados. O contraste na imagem é dado, sobretudo, pelo relevo da amostra, que é o principal modo de formação de imagem no MEV. Os elétrons secundários, elétrons de baixa energia, gerados pelas interações elétron-átomo da amostra têm um livre caminho médio de 2 a 20 nm, por isso, somente aqueles gerados junto à superfície podem ser reemitidos e, mesmo estes, são muito vulneráveis à absorção pela topografia da superfície.

   

  Elétrons Retroespalhados (“backscattering electron”- BSE): Os elétrons retroespalhados, possuem energia que varia entre 50eV até o valor da energia do elétron primário. Os elétrons retroespalhados, com energia próxima à dos elétrons primários, são aqueles que sofreram espalhamento elástico, e são estes que formam a maior parte do sinal de ERE. Os elétrons retroespalhados de alta energia, por serem resultantes de uma simples colisão elástica, provêm de camadas mais superficiais da amostra. Logo, se somente este tipo de elétrons forem captados, as informações de profundidade contidas na imagem serão poucas se comparadas com a profundidade de penetração do feixe. O sinal de BSE é resultante das interações ocorridas mais para o interior da amostra e proveniente de uma região do volume de interação abrangendo um diâmetro maior do que o diâmetro do feixe primário. A imagem gerada por esses elétrons fornece diferentes informações em relação ao contraste que apresentam: além de uma imagem topográfica (contraste em função do relevo) também obtém-se uma imagem de composição (contraste em função do número atômico dos elementos presentes na amostra).

   

  Outros tipos de interações podem ser obtidos pela incidência do feixe primário na amostra, como segue:

  • Elétrons transmitidos: sofrem espalhamento elástico (espalhamento de Rutherford) sendo, então, os responsáveis pela formação da imagem dos MET (microscópios eletrônicos de Transmissão).

  • Elétrons absorvidos: perdem toda sua energia na amostra, e, portanto, geram uma corrente elétrica entre a amostra e o porta- amostra, que deverá ser aterrado para descarregá-la e garantir a integridade da mesma.

  • Elétrons Auger: estes são os elétrons cuja energia (em torno de 1500eV) é característica do elemento que a emite e do tipo de ligação química. Estes elétrons possuem energia máxima de cerca de 2 keV, por isso, pode ser utilizada para análise elementar (principalmente óxidos e filmes muito finos). A profundidade de escape da interação é de aproximadamente 0,2 a 2,0 nm, a análise correspondente a este tipo de sinal é chamada espectroscopia Auger (AS).

   

  Fonte: http://www.pucrs.br/edipucrs/online/microscopia.pdf

• O próprio nome já diz, sistema de apoio a decisão e não sistemas de decisão.