SóProvas


ID
1983490
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

DADOS:

Valores de tangente:

tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).

Valores de seno:

sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).

Valores de cosseno:

cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).

Transformada de Laplace:

L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).

Resistividade aproximada dos condutores de cobre:

seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,

seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.

Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.

Representação do complemento do valor A: Ā

A coluna a esquerda contém alguns tipos de memórias semicondutoras. A coluna a direita contém algumas características destas memórias. Relacione a coluna a direita com a da esquerda e depois assinale a sequência correta de alternativas abaixo.

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

E. RAM Estática

F. RAM Dinâmica


( ) volátil, conteúdo mantido se alimentação presente

( ) não volátil, apagada e programada eletricamente.

( ) não volátil, programada durante fabricação.

( ) não volátil, programada uma única vez pelo usuário.

( ) volátil, conteúdo precisa ser refrescado periodicamente.

Alternativas
Comentários
  • (E) volátil, conteúdo mantido se alimentação presente - Memórias RAM estáticas, como o nome diz, só perdem os dados se desenergizadas (estática::flip-flops)

     

    (F) volátil, conteúdo precisa ser refrescado periodicamente. - Memórias RAM dinâmicas necessitam de um sistema de regeneração de dados. (dinâmica::capacitores)