Para a polarização direta, um elétron que surgir longe da junção no semicondutor tipo P vai ser atraído pelo campo externo, puxando pra mais longe ainda da junção. Um elétron que surgir ainda no semicondutor tipo P, mas dentro da região de depleção, vai ser puxado pelo campo externo para longe da junção, mas, em contrapartida, vai ser empurrado para perto da junção pelo campo gerado pelos íons da própria junção. O campo elétrico gerado pelos íons da junção é nulo fora da camada de depleção, e máximo na junção propriamente dita. Assim, quanto mais perto da junção surgir o portador minoritário, mais força o campo elétrico gerado pela camada de depleção provocará nesse portador. Percebe-se, então, que, na polarização direta, existe uma distribuição de portadores minoritários que vai aumentando quando tu te aproxima da junção, pois a força líquida que puxa eles para longe dali vai diminuindo.
Para a polarização inversa, um portador minoritário - pensemos em um elétron gerado no semicondutor tipo P - vai ser, em função do campo externo, empurrado para a junção (ligamos o negativo da bateria no P, ou ânodo, do diodo). Se esse elétron surgir dentro da camada de depleção, além de ser empurrado pelo campo externo em direção à junção, ele vai ser empurrado ainda no MESMO SENTIDO pelo campo gerado pelos íons da camada de depleção. Isso quer dizer que, para a polarização inversa, os portadores minoritários são mandados embora mais rapidamente quando surgem mais próximos da junção. O resultado é uma distribuição de portadores minoritários inversa àquela presente na polarização direta, com menor quantidade ao se aproximar da junção.
O fluxo dos portadores minoritários corresponde a uma corrente de perdas. Chama-se corrente reversa ou corrente reversa de saturação. Mesmo com o diodo em bloqueio, existe esse fluxo de portadores minoritários. Quando maior a densidade de elétrons livres do semicondutor intrínseco (que é aquele sem dopagem, ou seja, "quanto maior a quantidade de portadores minoritários"), maior essa corrente reversa de saturação. Obviamente, ela aumenta com a temperatura, pois a agitação térmica é que fica gerando pares elétron-lacuna.
Quando um diodo está operando em polarização direta, e é invertida a alimentação externa, tem uma porrada de portador minoritário perto da junção, e esse monte de portador minoritário vai sair dali voando porque agora existe um puta campo atuando sobre ele no sentido de jogar pro outro lado da junção. Esse processo corresponde a uma grande corrente inversa no diodo. O diodo, quando tu passa ele da polarização direta para a inversa, fica um tempo conduzindo uma corrente inversa grande, até que os portadores minoritários armazenados próximos a junção saiam dali. O tempo que isso leva para acontecer se chama "tempo de recuperação reversa". Quanto maior esse tempo, menor a frequência de chaveamento que pode ser aplicada a um diodo.