Questão 5445496

• Banca: VUNESP
• Órgão: EsFCEx
• Ano: 2021
• Provas: VUNESP - 2021 - EsFCEx - Informática
• Disciplina: Noções de Informática
• Assuntos: Hardware - Dispositivos de Armazenamento, Memórias e Periféricos

A memória flash é um tipo de memória

• A. cujos bits se desgastam após um certo número de escritas (tipicamente de 100 a 1000 escritas, dependendo da tecnologia). 
• B. que tem, aproximadamente, uma largura de banda 100 vezes maior do que a dos discos rígidos.
• C. cuja latência é de 100 a 1000 vezes maior do que a do disco rígido.
• D. que, em alguns de seus modelos, utiliza a técnica de nivelamento de desgaste, que espalha as escritas, remapeando blocos que foram escritos muitas vezes para blocos menos utilizados.
• E. utilizada em alguns modelos de laptops combinada com o disco rígido, para possibilitar inicializações mais rápidas, mas com maior consumo de energia: além do seu consumo, tem-se o do disco rígido, que não pode ser desligado.

Gabarito: D

Comentários

• Uma memória flash é um tipo de dispositivo de armazenamento não volátil, ou seja, mesmo se não tiver energia, manterá as informações que salvas nela. Diferente da memória ROM, a memória flash (ou flash ROM) pode ser atualizada.

• Memória flash consiste é um tipo de armazenamento não-volátil, ou seja, mesmo que não haja energia ela manterá as informações que foram salvas. A memória flash é uma variação da EEPROM – Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory. Mais adiante explicaremos a diferença entre elas. Foi inventada, em 1980, pelo Dr.Fujio Masuoka enquanto trabalhava para a Toshiba. E seu nome foi sugerido por um colega de Masuoka pela semelhança que o processo de apagamento de memória tem com o flash de uma câmera fotográfica. A principal diferença entre memória Flash e memória Eeprom é no caminho para apagar os dados. Enquanto EEPROM destrói os bytes individuais de memória usado para armazenar dados, dispositivos flash só podem apagar a memória em blocos maiores, isto faz com que os dispositivos flash sejam mais rápidos na reescrita.

• D-

  A memória flash NAND é suscetível a desgaste devido a ciclos repetidos de escrita e limpeza, que são normalmente efetuados em sistemas e aplicações de armazenamento de dados que usam a camada de tradução flash (Conforme o termo sugere, o nivelamento de desgaste fornece um método para distribuir ciclos de escrita e limpeza de modo uniforme por todos os blocos de memória na SSD.

• GAB D

  Qual o objetivo da memória flash?

  A memória Flash pode apagar os dados em blocos inteiros, tornando-se a tecnologia preferida para aplicações que requerem uma atualização frequente de grandes quantidades de dados, como no caso de um cartão de memória para um dispositivo eletrônico digital. Dentro de um chip Flash, a informação é armazenada em células.

• A escrita e limpeza constantes no mesmo local da memória acaba por desgastar aquela parte da memória e a torna inválida. Como resultado, a flash NAND tem vida útil limitada. Para evitar que cenários como esses ocorram, algoritmos especiais são implantados na SSD, chamados de nivelamento de desgaste.

  Conforme o termo sugere, o nivelamento de desgaste fornece um método para distribuir ciclos de escrita e limpeza de modo uniforme por todos os blocos de memória na SSD. Isso impede ciclos de escrita e limpeza contínuos no mesmo bloco de memória, resultando em maior vida útil da memória flash NAND em geral.