Questão 1093936

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INPE
• Ano: 2008
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Comentários

• não, pois só a presença da tensão Vgs, sem corrente, já controla a Id.

• TBJ - Porta controlada por corrente, onde Ic é função de Ib

  MOSFET - Porta controlada por tensão, onde Id é função de Vgs

  A afirmativa está errada, pois a potência demandada é menor no MOSFET, o que é um dos motivos de sua maior eficiência em relação ao TBJ.