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Questões de Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica


ID
58639
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
TRT - 17ª Região (ES)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Considerando que um conversor digital/analógico deva ser
desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um
aparelho específico, julgue os próximos itens.

Esse conversor pode ser construído com resistores lineares e amplificador operacional.

Alternativas

ID
71164
Banca
FCC
Órgão
TRT - 3ª Região (MG)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O circuito integrado linear que atua como regulador de tensão ajustável é o

Alternativas
Comentários
  • NE 555 - Temporizador

    LM 741 - Amplificador operacional

    LM 339 - Comparador

    TDA 2002 - Amplificador de Áudio

    LM 317 - Regulador de tensão


ID
71200
Banca
FCC
Órgão
TRT - 3ª Região (MG)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um

Alternativas

ID
71206
Banca
FCC
Órgão
TRT - 3ª Região (MG)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No circuito retificador em ponte composto por diodos de silício operando em condições normais, a perda de tensão devido à barreira de potencial dos diodos é, aproximadamente, em V,

Alternativas
Comentários
  • circuito em ponte: dois diodos ativos em cada ciclo. Cada diodo promove queda de 0,7V. 
    Perda total de 2*0,7 = 1,4V


  • Cada diodo de silício tem queda de tensão de 0,7V devido a tensão de joelho.

    O Retificador em ponte tem 4 diodos, porem a cada ciclo a corrente passa em apenas dois, então 0,7* 2 =1,4V


ID
71224
Banca
FCC
Órgão
TRT - 3ª Região (MG)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por

Alternativas
Comentários
  • Baixo em inglês é LOW


    Alto em inglês é HIGH

    Dessa forma, pode-se eliminar as Letra A e Letra B
  • Complementando o colega,

    Entrada em inglês é IN

    Saída em inglês é OUT

    Elimina-se assim A e E


ID
192592
Banca
FCC
Órgão
TRE-RS
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

É um dispositivo optoeletrônico:

Alternativas
Comentários
  • um optoacoplador por exemplo é a junção de um LED + fototransistor


ID
192631
Banca
FCC
Órgão
TRE-RS
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."

Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por

Alternativas

ID
192646
Banca
FCC
Órgão
TRE-RS
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em um amplificador com impedância de saída de 4 Ω, para garantir o casamento de impedâncias, devem ser ligados

Alternativas
Comentários
  • Para o correto casamento da impedência, o valor da carga deve ser o mesmo da impedância de saída.

    RL = 8//8 = 4 ohms


ID
197749
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
MS
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.

A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.


Não há reversão da voltagem de saída em circuitos retificadores que estejam alimentando cargas puramente resistivas. Logo, a forma da tensão elétrica na saída do retificador e as características de controle são similares àquelas obtidas com diodo de circulação em cargas indutivas.

Alternativas
Comentários
  • Cuidado tem pegadinha nesta questão.

    Nossa.....para evitar que a tensão de carga torne-se instantaneamente negativa devido à presença da indutância, emprega-se o diodo de roda-livre (DRL) em paralelo com a carga.

     

  • A questão especificamente pediu a forma de onda de TENSÃO na CARGA (Vl), logo está correta!

     

    Caso ela tivesse pedido a correlação entre cargas resisitivas e indutiva em circuitos com Diodo Roda-Livre, a forma de onda da corrente em cargas indutivas seria distinta, justamente a parcela que escoaria pelo diodo roda-livre em paralelo à carga!

  • Quando eu vi "Voltagem" já marquei errado porque achei que o certo seria "Tensão"


ID
220831
Banca
FCC
Órgão
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Ano
2009
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Tem-se uma fonte de alimentação linear composta por um transformador abaixador de tensão, uma ponte retificadora e um capacitor de filtro C. Ao ligar uma carga resistiva R na saída, obtém-se uma corrente média I e uma tensão média V com um ripple de frequência f e cujo valor pico a pico é no máximo 10% da tensão média na carga. A expressão que corresponde a um valor aproximado do valor pico a pico do ripple é

Alternativas
Comentários
  • Segue a equação da tensão de ondulação.

    Vond (rms) = (2,4*Icc) / C = (2,4*Vcc) / (RL*C)

    Bons estudos.

  • tensão de ripple pico a pico pode ser expressa por:

    Vrpp = I / f * C  =  Vocc / f *C * Rt

    Onde:

    Vocc é o valor de pico da tensão alternada,

    Rt  é a resistência da carga resistiva.


ID
224785
Banca
FCC
Órgão
METRÔ-SP
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Uma tensão alternada de 50 Vrms e 60 Hz é retificada por uma ponte de diodos 1N4004 (IFmax = 1 A e VRmax = 400 V) e aplicada a uma carga resistiva. As tensões eficaz e média do sinal retificado valem, aproximada e respectivamente,

Alternativas
Comentários
  • Dado:
    Vrms = 50V

    Sendo que:
    Numa ponte retificadora perde-se 1,4 V da tensão de entrada, porque cada diodo determina uma queda de potencial elétrico de 0,7 V (junção PN de silício); e há sempre 2 diodos em condução em cada semiciclo.

    Logo:
    a tensão eficaz (Vrms) é 48,6V; aproximadamente 49V.

    Sabendo que:
    Vmédio = 2* Vpico/pi
    Vrms = Vpico/raiz 2

    Temos que:
    Vpico = Vrms*raiz 2

    Logo:
    Vmédio = 2*(Vrms*raiz 2)/pi
    Vmédio = 2*(49*1,4)/3,14 = 43,7 V; aproximadamente 44V.
  • Questão confusa pois pediu a tensão eficaz e tensão média, ou seja:

    Tensão RMS seria 50V - 0,7V - 0,7V = 48,6V

    Tensão Eficaz: 48,6V * 1,41 = 68,5V

    Tensão média = 68,5V * 0,628 = 44V~

    A resposta teria que ser 68,5V e 44V


ID
224983
Banca
FCC
Órgão
METRÔ-SP
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é

Alternativas

ID
224992
Banca
FCC
Órgão
METRÔ-SP
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o

Alternativas
Comentários
  • IGBT é a combinação das características do MOSFET e TJB.


ID
248224
Banca
FCC
Órgão
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por

Alternativas

ID
248302
Banca
FCC
Órgão
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:

Alternativas
Comentários
  • 723 e 7812


ID
323377
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
STM
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.

Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.

Alternativas
Comentários
  • Só para acrescentar:

    Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor ou IGUAL que a tensão de entrada.
  • Regrinha para decorar os níveis de tensão em conversores CC-CC.

    Buck (menos letras) --> MENOS tensão (abaixador)
    Boost (mais letras) --> MAIS tensão (elevador)
  • Relembrando:

    Conversor Boost: Vo = 1/(1-D)

    Conversor Buck: Vo = D*Vi

    Conversor Buck-Boost: Vo = -D/(1-D)

    Onde D é o duty cycle, 0



ID
324514
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
FUB
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Acerca de conceitos básicos de eletrônica analógica, sinais e
eletrônica digital, julgue os próximos itens.

A diferença fundamental entre o somador completo e o meio somador está na quantidade de bits utilizados para cada valor binário de entrada.

Alternativas
Comentários
  • A diferença entre os somadores é que o somador completo possui a entrada Carry-in.

    Os dois somam numeros de 2 bits mas o somador completo consegue utilizar o resultado da saída Carry das somas anteriores.


ID
324517
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
FUB
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Acerca de conceitos básicos de eletrônica analógica, sinais e
eletrônica digital, julgue os próximos itens.

Cada segmento de um mostrador de 7 segmentos consiste em um transistor de junção bipolar que acende quando devidamente polarizado em base comum.

Alternativas
Comentários
  • O transistor deve ser operado como chave (corte e saturação) para que um outro dispositivo, por exemplo, um LED possa emitir o sinal visual.


ID
338164
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INMETRO
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.

Alternativas
Comentários
  • Alguem sabe, dizer porque a letra a) está errada?

  • O erro provavelmente está no necessário. Como eh um circuito TTL tri-state talvez no design do circuito aquele ponto mesmo em HiZ nao seja influenciado. Caso ele precise daquele valor sempre entre 0 ou 1, seria de fato necessário um Rpu.


ID
338230
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INMETRO
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

Alternativas
Comentários
  • Gabarito: D


ID
397945
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Correios
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Com relação a dispositivos elétricos e eletrônicos, julgue os itens
seguintes.

Para que um transistor bipolar de junção opere na região ativa, a junção entre a base e o emissor deve estar polarizada diretamente e a junção entre o coletor e a base deve estar polarizada reversamente.

Alternativas
Comentários
  • Polarização:

    Direta - Saturação

    Reversa - Corte

    Direta-Reversa - Ativa


ID
398026
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Correios
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.

Os circuitos integrados CMOS têm em sua constituição transistores NMOS e PMOS.

Alternativas

ID
398029
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Correios
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.

Os elementos básicos dos circuitos integrados TTL são os transistores de efeito de campo MOS tipo N.

Alternativas
Comentários
  • TTL - TRANSISTORES BIPOLARES
    CMOS - MOSFETS


ID
461755
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
HEMOBRÁS
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em uma instalação crítica, seja industrial, residencial, de
laboratório etc., faz-se necessária a implantação de um sistema de
segurança que permita detectar condições hostis ou perigosas.
Entre essas condições podem-se citar, invasão, incêndio,
vazamentos de fluídos etc. A respeito de sensores de sistemas de
segurança, julgue os itens 93 a 95.

Em um detetor óptico de fumaça, a luz emitida por um diodo do tipo LED, no interior de uma câmara do equipamento, é captada por um fotodiodo ou um fototransistor. Caso a fumaça invada essa câmara, ocorre dispersão da luz emitida, sendo a mesma percebida pelo fotodiodo ou fototransistor, o que leva ao disparo do detector.

Alternativas

ID
485656
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
SEPLAG-DF
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.

Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão

Alternativas
Comentários
  • sacaninha.
    ele realmente opera como resistor controlado por tensão, mas por que um resistor controlado por tensão não poderia ser usado em estágios de amplificador? 
    se ligar nessas questões em que colocam uma parte de teoria correta para desviar a atenção de uma colocação incoerente.
  • Adoro essas questões hahaha


ID
485659
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
SEPLAG-DF
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.

Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.

Alternativas
Comentários
  • Transistores de Efeito de Campo (FETs) possuem uma impedância de entrada bastante elevada (idealmente infinita) de maneira que na análise com FETs (JFET, MOSFET), a corrente de porta é considerada nula, Ig=0.


ID
485662
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
SEPLAG-DF
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.

Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.

Alternativas

ID
542677
Banca
FCC
Órgão
TRT - 23ª REGIÃO (MT)
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na configuração emissor comum com tensão de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,

Alternativas

ID
545611
Banca
FCC
Órgão
INFRAERO
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O parâmetro híbrido do transistor bipolar que caracteriza a sua impedância de entrada na configuração coletor comum é:

Alternativas
Comentários
  • A letra  minúscula significa que é um parâmetro de pequeno sinal, a primeira letra subscrita mostra se é uma impedância dinâmica de entrada, um ganho inverso de tensão, um ganho de corrente ou uma transcondutância de saída. A segunda letra subscrita informa se é do coletor, emissor ou base.

    letra b) 
  • Solução - Revisão:

    Nos transistores Bipolares de Junção (TBJ) temos assim :

    O " h "   vem de parâmetros    "h"íbridos  (híbridos ou misturados  porque pode ser  uma impedância  , admitância ou um ganho. São esses parâmetros h que são utilizados na eletrônica com muita frequência, falou de parâmetros h falou de circuitos eletrônicos !) , a última letra subescrita pode ser três opções : "e " ( emissor comum) , "c" (coletor comum) ou "b" (base comum ). Com isso ja eliminamos as alternativas  C , D e E . Fica a dúvida entre A e B . A primeira letra subescrita pode ser as seguintes opções que vem do inglês :

    " f " = forward = direto
    " r " = reverse = inverso
    " i " = input = entrada
    " o " = output = saída

    Os parâmetros h vem dessas  4 opções  citadas anteriormente utilizadas num quadripolo que é  aquele um bloco genérico com  entrada V1 e I1 e com saída V2 e I2  utilizado para representar um transistor quando queremos substitui-lo por um circuito comum( apenas com resistores , indutores capacitores , fontes de tensão ou de corrente  ) que faz o mesmo serviço dele e nos permite uma análise melhor , a seguir os 4 parâmetros :

    hi  = Impedância de entrada ( " i"nput)            ( teoricamente :  h11 = V1 / I1 )
    hr  = ganho de tensão inverso ( " r "everse)   ( teoricamente :  h12 = V1 / V2 )
    hf  = ganho de corrente direto ( " f "orward)   ( teoricamente :  h21 = I2 / I1  )
    ho = admitância de saída ( " o"utput )              ( teoricamente :  h22 = I2 / V2 )

    Como a questão pede impedância de entrada ( input  - " i" ) então concluímos que é " i " , logo hic  ,ou seja , letra  B .  

    O Bizú:

    O Bizú de questões desse tipo é nos atentarmos para as 4 palavras em inglês :  input(entrada) ,output( saída ), reverse ( inverso) e forward ( direto) , ou seja , sabendo de onde vem  as letras  "i ", "o" , "r "e" f " deciframos a questão  . As letras subescritas " c" , "b" ou "e" não precisamos mais fazer esforço para gravar  uma vez que foram já  explicadas .

    No caso desta questão quando o enunciado falou " entrada" ja é para vir na cabeça "i"nput  e quando falou "coletor " comum ja vem na cabeça "c"  , logo hic  que é a   Letra B.  Fica aqui esta  dica de solução rápida para outros estilos de questões como essa.  Afinal , na hora da prova temos que procurar resolver rápido !

    Abraços e até a próxima Solução-Revisão !
  • Valeu pela explicação @Slint!


ID
545617
Banca
FCC
Órgão
INFRAERO
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No manual de circuitos integrados TTL, a especificação VIL refere-se à Tensão

Alternativas
Comentários
  • VIL - Tensão de entrada máxima que um bloco lógico entende como nível lógico baixo

    VIH - Tensão de entrada mínima que um bloco lógico entende como nível lógico alto

    VOL - Tensão de saída máxima que um bloco lógico entende como nível lógico baixo

    VOH - Tensão de saída mínima que um bloco lógico entende como nível lógico alto

    Pra facilitar a memorização:

    O - OUT (SAÍDA); I - IN (ENTRADA); L - LOW (BAIXO) e H - HIGH (ALTO). Sempre o baixo associado a máximo e alto ao mínimo!


ID
546859
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O diodo é um dispositivo eletrônico importante, composto, basicamente, de material semicondutor como silício ou germânio. Qual a finalidade de sua utilização em circuitos eletrônicos?

Alternativas
Comentários
  • letra A errada: essa função de armazenar energia é do capacitor

    letra B errada: essa função é de armazenar energia magnética é do indutor.

    letra C errada : essa função de transformar energia elétrica em térmica é do resistor através do efeito joule.

    letra D: correta, o diodo só permite a passagem de corrente em um sentido, do cátodo para o anôdo.

    Letra E: errada, o diodo não divide o sinal, ele retifica(corta) dependendo da sua aplicação.


ID
569065
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um sinal analógico limitado em banda, sendo 4 kHz sua maior componente de frequência, é codificado por um sitema PCM cujo amostrador opera na taxa de Nyquist e o quantizador possui N níveis. Para essa configuração, o sinal digital na saída do PCM possui taxa de 24 Kbps. Se a quantidade de níveis de quantização fosse quadruplicada, a taxa do sinal digital obtido na saída do PCM, em Kbps, seria

Alternativas
Comentários
  • Fo = 4Khz ______ Fnyquist = 2*Fo = 8Khz




    Com 8KHz em N níveis, a taxa de 24kbps


    8000 amostras/s * X bits/amostra = 24000 bits/s


    X bits = 3. O número de níveis é dado por N = 2^bits. Para essa configuração, N = 2^3 = 8 níveis.


    se o número de níveis for quadruplicado, No = 4*N = 4*8 = 32 níveis. 32 níveis corresponde fazer uma codificação com 5 bits = 2^5 = 32.


    Dessa forma, a nova taxa será de 8000amostras/s * 5 bits/amostra = 40 000 bits/s ou 40kbps.


ID
644215
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

São características de um amplificador ideal:

Alternativas

ID
644218
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Qual definição melhor se aplica a um amplificador classe A?

Alternativas
Comentários
  • Gabarito: Alternativa D

    O amplificador classe A opera em 360º (θ) do ciclo de condução em um região linear da curva de transferência.

    Resumo:

    Classe A: θ = 360º

    Classe B: θ = 180º

    Classe AB: 180º < θ < 360º

    Classe C: θ < 180º

    Classe D: θ = 0º (PWM)

    A eficiência também cresce da forma que foi mostrada acima, ou seja, a eficiência da classe A é a menor e a da classe D é a maior.

    Mais dicas no Instagram @engenheiro.hudson


ID
644245
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A cerca dos amplificadores de potência, é correto afirmar:

Alternativas

ID
644248
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Assinale abaixo a alternativa que contém o componente que na operação como amplificador, a junção base-coletor está reversamente polarizada:

Alternativas
Comentários
  • Gabarito: D


ID
644260
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Para polarizar diretamente um diodo retificador, deve-se:

Alternativas

ID
644263
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Sobre o Diodo Zener, podemos afirmar que:

Alternativas
Comentários
  • a) A principal utilização do diodo zener, que opera na região de polarização reversa, diz respeito aos circuito reguladores de tensão.

    b) Correto

    c) Como opera na região de polarização reversa, então o mesmo deve ser polarizado reversamente.

    d)é um semicondutor

    e) é utilizado como regulador de tensão

  • componente eletrônico semelhante a um diodo semicondutor, especialmente projetado para trabalhar sob o regime de condução inversa

    Diodo Zener (também conhecido como diodo regulador de tensão)

    dois fenômenos envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche.


ID
644266
Banca
CONSULPLAN
Órgão
INB
Ano
2006
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Se em um transistor de junção bipolar polarizarmos, na região negativa, a junção emissor-base diretamente e a junção coletor-base inversamente, ele irá operar como:

Alternativas

ID
660889
Banca
FCC
Órgão
TRE-CE
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Considere as afirmativas relacionadas aos dispositivos de entrada e saída de CLP.

I. Por questão de velocidade de resposta, deve-se evitar o uso de módulos de entrada que possuem acoplamento óptico para entrada de sinais digitais.

II. Os módulos de saída analógica com saída do tipo corrente geralmente fornecem correntes de 0 mA a 20 mA ou 4 mA a 20 mA.

III. Os módulos de saída que necessitam operar a velocidades maiores devem utilizar elementos de chaveamento do tipo relé.

IV. Existem módulos de saída especiais que podem fornecer sinais do tipo PWM.

Está correto o que se afirma APENAS em

Alternativas
Comentários
  • LETRA D

    I - ERRADO = Evitar não, sinais ópticos são muito rápidos.
    II - CERTO
    III - Relé... para operar com velocidades maiores, é circuito chaveado;
    IIII - Sim existem.

ID
660904
Banca
FCC
Órgão
TRE-CE
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um amplificador tem ganho de potência de 40 dB. Em sua entrada é aplicado um sinal de áudio de 100 mW. A potência do sinal de saída, em dBm, vale

Alternativas
Comentários
  • A letra correta é a c), pois:

    1º) Descobrir o ganho do amplificador:
    G(dB) = 10 . log(x)
    40 = 10 . log(x)
    log(x) = 40/10
    log(x) = 4
    x = 10.000

    2º) Descobrir a potência de saída em mW:
    G(mW) = 100mW . 10.000 = 106mW

    3º) Descobrir a potência de saída do sinal em dBm:
    G(dBm) = 10 . log(106)
    G(dBm) = 10 . 6 . log(10)
    G(dBm) = 60 . 1 = 60dBm

     
  • Segue a solução:

    G (dB) = 10 Log (Po/Pi)

    40 dB = 10 Log (Po/100mW)

    4 dB = Log(Po) - Log(100mW)

    3 dB = Log(Po) 

    Po = antiLog (3) = 1000W

    G (dBm) = 10 Log (1000W / 1mW) = 60dBm

  • 10log(100mw/1mw)=10*log10^2=20dBm

    20dBm + 40dB = 60dBm (letra C)


ID
660958
Banca
FCC
Órgão
TRE-CE
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Para um amplificador com impedância de saída de 4 &Omega;, há casamento de impedâncias quando em sua saída são conectados

Alternativas
Comentários
  • LETRA A;
    Casamento de Impedâncias: O casamento de impedâncias nada mais é do que a conexão de circuitos diferentes (com impedâncias diferentes) de forma que o máximo em rendimento possa ser obtido. 
    Temos 1 de 4Ω
    Liga-se em paralelo:
    Para achar os 4Ω = 2 de 8 em paralelo = 8/2 = 4

ID
713692
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um amplificador de potência, tendo, em sua entrada, um sinal com potência de 2 mW, apresenta, em sua saída, um sinal de potência equivalente a 4 W.

O ganho desse amplificador, em dB, é

Dado: Considere o log10 (2) = 0,3

Alternativas
Comentários
  • 10log(4/0,002)= 10log2000=10(log2+log1000)=10(0,3+3)= 33

    Letra C


ID
722395
Banca
FCC
Órgão
TRT - 6ª Região (PE)
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Sobre um fotodiodo de dois terminais devidamente polarizado, é correto afirmar:

Alternativas
Comentários
  • O fotodiodo é um dispositivo semicondutor de junção PN, cuja região de operação é limitada a condição de polarização reversa.

    A partir do valor da corrente escura (sem iluminação), conforme aumenta a luz incidente, aumenta o valor da corrente reversa.

    Alternativa correta (A).


ID
730150
Banca
FCC
Órgão
TRF - 2ª REGIÃO
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

São circuitos integrados lineares comerciais que funcionam como reguladores de tensão:

Alternativas

ID
730198
Banca
FCC
Órgão
TRF - 2ª REGIÃO
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O parâmetro do transistor correspondente ao ganho direto de corrente na configuração emissor comum é:

Alternativas

ID
755032
Banca
Marinha
Órgão
Quadro Complementar
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Assinale a opção correta em relação aos parâmetros básicos do tiristor.

Alternativas

ID
755116
Banca
Marinha
Órgão
Quadro Complementar
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em relação à associação de retificadores, analise as seguintes afirmativas.

I - Uma associação série é normalmente empregada em situações em que se deseja uma tensão CC de saída elevada, que não poderia ser obtida com um retificador único.

II - Uma associação em paralelo é feita quando a carga exige uma corrente que não poderia ser fornecida por um único retificador.

III- As associações de retificadores (série e em paralelo) são utilizadas quando se deseja reduzir o conteúdo harmônico da corrente drenada da rede.

IV - Uma associação em série é feita quando a carga exige uma corrente que não poderia ser fornecida por um único retificador.

Assinale a opção correta.

Alternativas

ID
755125
Banca
Marinha
Órgão
Quadro Complementar
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em relação à retificadores, assinale a opção correta.

Alternativas

ID
759190
Banca
Marinha
Órgão
Quadro Complementar
Ano
2011
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em relação ao ganho de tensão, é correto afirmar que:

Alternativas

ID
772471
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Banco da Amazônia
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.

Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção coletor-base estiverem reversamente polarizadas.

Alternativas
Comentários
  • A assertiva está correta, pois ao controlar as tensões nos terminais de um TBJ, podem ser definidas 4 regiões distintas de operação:
    • Ativo: transistor utilizado como amplificador
    • Corte e saturação: transistor utilizado como chave
    • Ativo reverso: pouca aplicação prática

    Ativo:
    Junção Emissor-Base = Direta
    Junção Coletor-Base = Reversa
    Corte:
    Junção Emissor-Base = Reversa
    Junção Coletor-Base = Reversa
    Ativo Reverso:
    Junção Emissor-Base = Reversa
    Junção Coletor-Base = Direta:
    Saturação:
    Junção Emissor-Base = Direta
    Junção Coletor-Base = Direta

ID
772474
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Banco da Amazônia
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.

Um diodo ideal formado por uma junção p-n comporta-se como um circuito aberto, quando inversamente polarizado, e como um curto-circuito, quando diretamente polarizado.

Alternativas
Comentários
  • Se não tivesse o "ideal" ali no início, estaria errada. 

  • material tipo N: Excesso de elétrons;


    material tipo P: Lacunas;

    Os elétrons da material tipo N migrarão para o tipo P e, após essa recombinação será criada uma barreira. 

    assertiva correta
  • Um diodo ideal

    circuito aberto - quando inversamente polarizado

    curto-circuito - quando diretamente polarizado.


ID
791359
Banca
FCC
Órgão
MPE-PE
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em uma barreira óptica formada por um LED e um foto- transistor infravermelhos, cuja saída deve fornecer um nível lógico para o port de entrada de um microcontrolador, a forma correta de conectar o fototransistor é:

Alternativas

ID
791374
Banca
FCC
Órgão
MPE-PE
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Deseja-se implementar uma interface transistorizada para acionar um motor de passo de seis fios (duas bobinas com center-tap) a partir de um microcontrolador. Considerando que a capacidade de corrente de cada port de saída do microcontrolador é de 800 µA, que os transistores da interface operarão como chave e que as bobinas do motor de passo operam com corrente de 0,8 A, é necessário que cada transistor da interface seja

Alternativas
Comentários
  • Na eletrônica, o transistor Darlington é um dispositivo semicondutor que combina dois transístores bipolares no mesmo encapsulamento (as vezes chamado par Darlington).

    Esta configuração serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parâmetro β do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espaço do que o dos transistores normais na mesma configuração. O Ganho total do Darlington é produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo típico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas frequências, por isso pode tornar-se facilmente instável. A tensão base-emissor também é maior. consiste da soma das tensões base-emissor, e para transistores de silício é superior a 1.2V.

    NESSE CIRCUITO ELE IRIA PRECISAR DE UM GANHO DE CORRENTE DE 1000A, LOGO ELE PRECISARIA DO DARLINGTON

  • Isso mesmo Rafhael. Se a saída do microcontrolador é de 800uA, que é a base do transistor e a corrente de coletor que vai acionar o motor é de 0,8A, basta dividir a IC pelo IB,0,8/0,0008=1000, onde teremos um transistor cujo ganho seja 1000.


ID
827266
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
TJ-RO
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

Alternativas
Comentários
  • Esta questão apresenta uma grande fragilidade, pois:

    Se o transistor for do tipo depleção, a corrente de dreno ID é fornecida pela equação não linear de Shockley.

    Se o transistor for do tipo intensificação (enriquecimento), a corrente de dreno ID é fornecida pela equação linear da constante K da construção do dispositivo.

    Analisando as respostas, a única alternativa que atendem os dois tipos de MOSFET canal N é o item (d)

     


ID
838579
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
ANAC
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de uma aeronave relacionam-se entre si e entre suas
partes, elementos ou unidades, funcionando de maneira organizada,
com o objetivo de manter a aeronave em funcionamento. Acerca
dos diferentes sistemas das aeronaves, julgue os itens a seguir.

Para que o alternador, gerador que produz corrente alternada, forneça corrente contínua, substituindo o dínamo, utiliza-se um dispositivo chamado diodo.

Alternativas

ID
941614
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Julgue os próximos itens, acerca de diodos.

As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.

Alternativas

ID
941617
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Julgue os próximos itens, acerca de diodos.

Em um semicondutor dopado que não esteja sujeito à aplicação de campo elétrico, a corrente de difusão é nula.

Alternativas
Comentários
  • A corrente de difusão é causada pela tendência dos portadores de cada material se distribuírem. No estado de equilíbrio, ela iguala-se à corrente de deriva (gerada pelo campo elétrico) e torna-se nula. Ou seja, para que a corrente de difusão seja nula, NECESSARIAMENTE deve existir uma corrente de deriva e, portanto, um campo elétrico.


ID
941623
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Julgue os próximos itens, acerca de diodos.

A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.

Alternativas

ID
942178
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.

O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.

Alternativas

ID
942181
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.

Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.

Alternativas

ID
942196
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.

Alternativas

ID
942199
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.

Alternativas
Comentários
  • Para o TBJ:

    Pot = Vce*Ic


ID
942202
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

Alternativas

ID
942205
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.

Alternativas
Comentários
  • o Diodo tem a função de proteger o transistor da força contra-eletromotriz que surge na bobina do relé quando ela é desenergizada.

    "e não de formar ele"

  • Na prática não é possível formar um transistor a partir de dois diodos, pois não haverá uma dopagem tipo N ou tipo P de espessura muito fina comum aos dois diodos, como é a base de um transistor.


ID
959335
Banca
CETRO
Órgão
ANVISA
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os diodos emissores de luz (LED) possuem, como base fundamental em suas confecções, os elementos semicondutores e convertem corrente elétrica em luz visível ou radiação infravermelha. Em relação aos tipos de cristais e sua dopagem, que caracterizam a coloração de sua luz, analise as assertivas abaixo.
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.

É correto o que se afirma em:

Alternativas
Comentários
  • A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo e O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo 

  • Nossa que questão inútil. Preciso saber a combinação de elementos químicos que caracterizam a luz do LED? Isso é ridículo.


ID
1014082
Banca
CETRO
Órgão
ANVISA
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Sobre o amplificador diferencial, analise as assertivas abaixo.

I. É um subcircuito composto de um conjunto de transistores (1 ou mais) que diminui a diferença de tensão entre suas duas saídas.

II. É normalmente utilizado como estágio de saída.

III. É facilmente cascateado sem necessidade de acoplamento.

É correto o que se afirma em

Alternativas

ID
1014085
Banca
CETRO
Órgão
ANVISA
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O isolamento de amplificadores, uma das técnicas de condicionamento de sinal, pode ser definido como a separação entre dois sinais, de modo a interagir entre eles, visando a um aspecto de segurança. Sobre os tipos de isolamento existentes, assinale a alternativa incorreta.

Alternativas

ID
1090447
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em alguns casos precisa-se de uma chave de potência com a menor resistência de condução possível para acionamento unidirecional no primeiro quadrante. A melhor chave a ser utilizada é :

Alternativas

ID
1090450
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Associe as colunas, relacionando o tipo de chave ao respectivo princípio de funcionamento.

Chave

(1) IGBT
(2) SCR
(3) TRIAC
(4) MOSFET
(5) GTO
(6) DIAC

Princípio de funcionamento

( ) conduz apenas quando se atinge a tensão de break-over.
( ) funciona como chave ao receber pulso no gatilho tanto no semiciclo negativo quanto no positivo da rede.
( ) liga e desliga pelo mesmo terminal do gatilho.
( ) um dos métodos para desligar é ser reversamente polarizado.
( ) tem o princípio de funcionamento por campo elétrico.
( ) possui circuito equivalente da associação de um MOSFET e um BJT.

A sequência está correta em.

Alternativas

ID
1090453
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O circuito Snnuber utilizado em um triac tem como função.

Alternativas

ID
1093927
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.

Alternativas

ID
1093930
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.

Alternativas
Comentários
  • A meu ver este gabarito está trocado!


ID
1093933
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.

Alternativas

ID
1093936
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.

Alternativas
Comentários
  • não, pois só a presença da tensão Vgs, sem corrente, já controla a Id.

  • TBJ - Porta controlada por corrente, onde Ic é função de Ib

    MOSFET - Porta controlada por tensão, onde Id é função de Vgs

    A afirmativa está errada, pois a potência demandada é menor no MOSFET, o que é um dos motivos de sua maior eficiência em relação ao TBJ.


ID
1093939
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.

Alternativas
Comentários
  • Não, ele é chamado de transistor bipolar de junção por ter 2 junções, a coletor-base e base-emissor.

  • É bipolar pelo fato de possuir dois portadores contribuindo para condução de corrente: elétrons e lacunas

    Já o JFET é unipolar, pois a corrente é oriunda apenas da contribuição do fluxo de elétrons através do canal comum entre dreno e fonte.


ID
1093942
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.

Alternativas
Comentários
  • FALSO!

    A grande vantagem dos MOSFETs em comparação aos BJTs é a velaocidade de comutação, além da simplicidade do circuito de comando (tensãoXcorrente)!

    Esta caracterísitica se mantém mesmo quando comparamos os MOSFETs aos IGBTs, ambos com o mesmo tipo de circuito de comando(tensão)! 


ID
1093945
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.

Alternativas

ID
1093948
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.

Alternativas
Comentários
  • O efeito Kirk de fato é o descrito na questão e isso prejudica o ganho de corrente do BJT mas o erro está que ele diminui a largura efetiva da base, na verdade é o contrário. Há grande concentração de doadores na base para o coletor devido a quantidade de corrente.

    Fontes:

    ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_5.htm


ID
1093951
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.

Alternativas
Comentários
  • Errado! BJT é controlado por corrente e não tensão!

  • Cuidado! a tensão de bloqueio a que a assertiva se refere diz respeito ao estresse de tensão que o transistor suporte quando está em corte, e não ao modo de controle! No caso, quanto maior o nível de dopagem, o semicondutor torna-se um melhor condutor, quando devidamente levado a tal ponto de operação, porém suporta tensões de bloqueio menores. No TBJ de potência, o coletor possui uma região de dopagem reduzida, para suportar tensões maiores (o contrário do que diz a assertiva). Gab: errado

    referência:https://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/cap1.html


ID
1094002
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.

Alternativas

ID
1188424
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPI
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Suponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo.

É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio.

Alternativas
Comentários
  • Anodo +

    Catodo -


ID
1236211
Banca
FUNCAB
Órgão
PRODAM-AM
Ano
2014
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um amplificador CA tem normalmente resposta em frequência máxima na faixa média e baixo ganho de tensão nas frequências muito baixas ou muito altas. Assinale a resposta que indica o motivo do baixo ganho de tensão nas altas frequências.

Alternativas
Comentários
  • Xc = 1/wC = 1/2pifC

    Para f muito grande, Xc muito pequeno. Logo, C se comporta como um curto-circuito.

    Para f muito pequeno, Xc muito grande. Logo, C se comporta como um circuito aberto.


ID
1295116
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)

Alternativas
Comentários
  • Por mim a resposta é a letra C, pois a junção PN polarizada diretamente está na junção da base com emissor e a junção PN do coletor para base sempre está inversamente polarizada. Tanto no PNP quanto NPN.
  • letra D.

    Um transistor está na região de saturação quando a junção base-emissor está diretamente polarizada com a condição adicional de a tensão VCE tornar-se inferior a tensão VBE.

    Tendo a base do transistor npn polaridade positiva em relação ao coletor, a junção base-coletor fica diretamente polarizada. Portanto, na região de saturação a corrente de coletor pode ser razoavelmente elevada.

     


ID
1295257
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um posicionador é um servo amplificador

Alternativas

ID
1330852
Banca
FMP Concursos
Órgão
PROCEMPA
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo. 

 
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%. 
 
Estão corretas as afirmativas

Alternativas
Comentários
  • A quarta faixa, que é opcional, indica imprecisão no valor da resistência. Prateado indica 10% de imprecisão, dourado indica 5% e a ausência desta faixa representa imprecisão de 20%.

    Fonte: https://brasilescola.uol.com.br/fisica/codigo-cores-para-resistores.htm


ID
1348732
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INMETRO
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Sistemas de aquisição de dados por computador são utilizados em uma grande variedade de aplicações. Tipicamente, esses sistemas são usados para medição de tensões de entrada e de saída por meio de procedimentos de condicionamento de sinais, que têm como etapa importante a amplificação do sinal a ser medido. A principal função dessa etapa de amplificação é

Alternativas

ID
1372234
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Chesf
Ano
2012
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os diodos semicondutores são componentes eletrônicos empregados em diversos circuitos. Tais componentes são formados pela junção de dois materiais semicondutores com dopagens tipo N e tipo P, denominada junção PN.

Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.

Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.

I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.

II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.

III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.

Está correto APENAS o que se afirma em

Alternativas

ID
1388845
Banca
CESGRANRIO
Órgão
Petrobras
Ano
2014
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Em algumas aplicações na área de instrumentação, é necessário amplificação com elevado ganho de malha fechada. Nesse sentido, é possível acoplar vários estágios de amplificadores com alta impedância de entrada, formando uma ligação conhecida como cascata.

Se três estágios de amplificadores idênticos com ganho de tensão de 2 dB forem ligados em cascata, qual será o ganho total, em dB, e qual o efeito que ocorre na largura de faixa resultante dessa ligação?

Alternativas
Comentários
  • O ganho de um amplificador é dado por logx. O ganho de n ampificadores em cascata é dado por log(x^n) = n*logx

    Para n = 3 e logx = 2 dB, tem-se um ganho de 3*2 = 6dB

     

    Gabarito: D

  • O ganho total é igual a soma dos ganhos.


ID
1403896
Banca
FGV
Órgão
TJ-BA
Ano
2015
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Considere um diodo com tensão zener de 10 V e potência de 500 mW, sendo alimentado por uma fonte de 20 V. Sabendo-se que a corrente de zener mínima é igual a 20 % da corrente de zener máxima e que a corrente média de carga é igual a 10 mA. O valor da resistência Rz a ser ligado em série com esse diodo deve ser:

Alternativas
Comentários
  • Alguém conseguiu chegar nos valores exatos da resposta?

  • Questão bem confusa, achei 200 ohm como valor minimo e 1k como valor máximo, considerei a carga citada em paralelo com o zener e sua resistencia. Mas não usei a corrente media de carga. a questão não explica como ela está inserida no circuito.

    Usei o criterio de corrente maxima e minima do diodo zener e defini a resistencia em função da LKT na malha

  • Raciocinei igual ao Marcio. Também achei 200 e 1k.

  • Alguém conseguiu resolver conforme gabarito? Também encontrei 1k e 200.

  • fiz pela malha, pelo nó, substituindo, colocando a carga em paralelo descobrindo a resistência da carga e fixando pra ver se achava Rz diferente, todas da 1kohm

  • Como a tensão zener e potência zener respectivamente 10 e 0,5 a corrente máxima zener será:

    Izmaz=,5/10=50mA

    Izmin=,2*50=10mA

    Então a corrente Shunt obedecendo a lei de Kirchhoff Será a soma da corrente média na carga mais a corrente zener, com isso e considerando que a tensão no resistor Rz é a diferença entre a tensão na fonte e a tensão zener, temos que:

    Rz=(20-10)/(50m+10m)=200

    Rz=(20-10)/(10m+10m)=500

  • Condições de projeto:

    1)Circuito sem acoplamento de carga(operação máxima da potência do Zener):

    =>P(máx.Zener)= 500mW

    =>I(máx.)=P(máx.Zener)/V(Zener)=500mW/10V=50mA

    =>R(mín.)=(V(Fonte)-V(Zener))/I(máx.)=(20-10)/50mA=200 ohm

    2)Circuito com acoplamento de carga(operação mínima da potência do Zener):

    =>P(mín.Zener)= 20%*500mW= 100mW

    =>I(mín.)=P(mí..Zener)/V(Zener)=100mW/10V=10mA

    =>R(máx.)=(V(Fonte)-V(Zener))/(I(mín.)+I(Médio da carga))=(20-10)/(10mA+10mA)=500 ohm

    Bons estudos!!!


ID
1474081
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
Polícia Federal
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.

Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.

Alternativas
Comentários
  • Para o transistor pnp: 
    Modo corte 
    - JEB - reversa ou nula 
    - JCB reversa 

    Modo ativo: 
    - JEB - direta 
    - JCB - reversa 

    Modo saturação 
    - JEB- direta 
    - JCB - direta 

    Se o transistor for NPN, deve-se mudar JEB por JBE e JCB por JBC 
    "Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte." => JBE = direta e JBC = direta => saturação

  • MODO DE OPERAÇÃO TRANSISTOR JUNÇÃO BIPOLAR (NPN & PNP)

    CORTE: JEB=REVERSA e JCB=REVERSA

    ATIVO: JEB=DIRETA e JCB=REVERSA

    SATURAÇÃO: JEB=DIRETA e JCB=DIRETA


ID
1589008
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2014
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Triac (Triode for alternating current) é um dispositivo eletrônico aplicado a circuitos retificadores, conhecidos também como controladores de fase. Assinale a alternativa que não apresenta uma característica do triac.

Alternativas

ID
1589059
Banca
Aeronáutica
Órgão
CIAAR
Ano
2014
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Um dispositivo bastante utilizado na eletrônica, em etapas de circuitos de baixa potência, é o transistor de unijunção. Em relação às aplicações deste semicondutor marque a alternativa incorreta.

Alternativas

ID
1616359
Banca
ZAMBINI
Órgão
PRODESP
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O IGBT é um

Alternativas
Comentários
  • GABARITO D

    IGBT = Isolated Gate Bipolar Transistor ou Transistor Bipolar de Porta Isolada


ID
1640092
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
DPF
Ano
2013
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.

Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.

Alternativas
Comentários
  • 1) Polarização DIRETA do NPN

    Jbe - diretamente polarizada

    Jcb - reversamente polarizada

    2) Saturação

    Jbe - diretamente polarizada

    Jcb - diretamente polarizada

    3) Corte

    Jbe - reversamente polarizada

    Jcb - reversamente polarizada

  • MODO DE OPERAÇÃO TRANSISTOR JUNÇÃO BIPOLAR (NPN & PNP)

    CORTE: JEB=REVERSA e JCB=REVERSA

    ATIVO: JEB=DIRETA e JCB=REVERSA

    SATURAÇÃO: JEB=DIRETA e JCB=DIRETA


ID
1671115
Banca
FCC
Órgão
TRT - 3ª Região (MG)
Ano
2015
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O bloco eletrônico que tem como base de funcionamento o dispositivo SCR é o

Alternativas
Comentários
  • GABARITO D

     

    O retificador controlado é composto por SCRs conectados a uma carga em configurações diversas. Difere do retificador não-controlado por utilizar SCRs ao invés de diodos.


ID
1707046
Banca
FGV
Órgão
FIOCRUZ
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Com relação à operação física dos diodos, analise as afirmativas a seguir.

I. Na condição de circuito aberto, haverá uma região de depleção de portadores em ambos os lados da junção pn, com o lado n dessa região carregado negativamente e o lado p carregado positivamente.

II. Na condição de polarização inversa, a capacitância de depleção diminui com o aumento da tensão de polarização.

III. Na condição de polarização direta, o maior número de cargas fixas descobertas resulta num aumento de tensão na região de depleção e, consequentemente, numa maior corrente de polarização direta.

Assinale:

Alternativas

ID
1707061
Banca
FGV
Órgão
FIOCRUZ
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.

Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:

Alternativas

ID
1718620
Banca
Marinha
Órgão
Quadro Complementar
Ano
2015
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Dentre as opções abaixo, assinale aquela que apresenta o único tipo de modulação analógica que seja linear.

Alternativas

ID
1722073
Banca
Aeronáutica
Órgão
EEAR
Ano
2015
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Tratando-se dos circuitos retificadores com diodo, marque verdadeiro (V) ou falso (F), para as afirmações abaixo e, em seguida, assinale a alternativa com a sequência correta.

( ) Um diodo em série com um resistor de carga configura um retificador de meia onda.
( ) O retificador de onda completa, com tomada central, tem um transformador com um terminal comum no centro do enrolamento secundário com quatro diodos e um resistor de carga.
( ) O capacitor de filtro é um capacitor conectado em paralelo com a carga.

Alternativas