SóProvas


ID
1093948
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
INPE
Ano
2008
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.

Alternativas
Comentários
  • O efeito Kirk de fato é o descrito na questão e isso prejudica o ganho de corrente do BJT mas o erro está que ele diminui a largura efetiva da base, na verdade é o contrário. Há grande concentração de doadores na base para o coletor devido a quantidade de corrente.

    Fontes:

    ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_5.htm