Questão 1093954

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INPE
• Ano: 2008
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• Gab: certo

  Condutividade térmica -> O material possui alta capacidade de transferência de calor, ou seja, 'não retém' o calor em si. Essa propriedade é interessante pois permite a obtenção de dispositivos mais compactos, com dissipadores menores.

  Velocidade de saturação -> Quanto maior essa velocidade, maior a frequência de operação do dispositivo.