Questões de Transistor de potência

Questão 197746

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: MS
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - MS - Engenheiro Elétrico
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo de potência (NOVO); Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Tiristor; Transistor de potência

O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.

A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.

SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Comentários

• Me corrijam se eu estiver errado, mas acho que o erro está em mencionar dispositivo GVT. Não conheço esse tipo de dispositivo como um semicondutor. Acho que o CESPE forçou a barra criativamente.. e maliciosamente  rs

• O SCR é um dispositivo capaz de trabalhar em altas potências e altas temperaturas, contudo a o LASCR (SCR ativad por LUZ) possui disponível comercialmente valores nominais de corrente máxima (RMS) e potência, respectivamente, 3A e 0,1W. Por isso não pode ser considerado de potência.

   

• O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).

  
  

  Fonte: http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap1.pdf

  
  

  O erro está em incluir nessa, extensa lista, a abreviação GVT(que nem sei o que significa).

Questão 323377

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: STM
• Ano: 2011
• Provas: CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor; Transistor de potência

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.

Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• Só para acrescentar:
  
  Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor ou IGUAL que a tensão de entrada.
• Regrinha para decorar os níveis de tensão em conversores CC-CC.
  
  Buck (menos letras) --> MENOS tensão (abaixador)
  Boost (mais letras) --> MAIS tensão (elevador)

• Relembrando:

  Conversor Boost: Vo = 1/(1-D)

  Conversor Buck: Vo = D*Vi

  Conversor Buck-Boost: Vo = -D/(1-D)

  Onde D é o duty cycle, 0

  
  

Questão 323383

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: STM
• Ano: 2011
• Provas: CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.

O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. É o tipo básico do FET, formado por uma camada de metal (ligada ao terminal externo do gate), uma camada de óxido no meio, e um material semicondutor. Quando tu aplica tensão no gate, o campo tem o efeito de criar, no semicondutor, um canal de profundidade modulável por essa tensão, permitindo maior ou menor passagem de corrente entre as outras regiões semicondutoras que possuem terminais externos ligados a elas (dreno e fonte).

Questão 730057

• Banca: FCC
• Órgão: TRF - 2ª REGIÃO
• Ano: 2012
• Provas: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo

• A. de elevada impedância, mas de baixa corrente.
• B. de baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.
• C. usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.
• D. usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.
• E. usado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.

Gabarito: D

Comentários

• A letra d) está correta, pois:
  
  O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP. Assim, a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP; no entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operação em freqüências de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères.
  Juntando o que há de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT é um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade.
  
  http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm

Questão 1093951

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INPE
• Ano: 2008
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor; Transistor de potência

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Comentários

• Errado! BJT é controlado por corrente e não tensão!

• Cuidado! a tensão de bloqueio a que a assertiva se refere diz respeito ao estresse de tensão que o transistor suporte quando está em corte, e não ao modo de controle! No caso, quanto maior o nível de dopagem, o semicondutor torna-se um melhor condutor, quando devidamente levado a tal ponto de operação, porém suporta tensões de bloqueio menores. No TBJ de potência, o coletor possui uma região de dopagem reduzida, para suportar tensões maiores (o contrário do que diz a assertiva). Gab: errado

  referência:https://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/cap1.html

Questão 1093954

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INPE
• Ano: 2008
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• Gab: certo

  Condutividade térmica -> O material possui alta capacidade de transferência de calor, ou seja, 'não retém' o calor em si. Essa propriedade é interessante pois permite a obtenção de dispositivos mais compactos, com dissipadores menores.

  Velocidade de saturação -> Quanto maior essa velocidade, maior a frequência de operação do dispositivo.

Questão 1616359

• Banca: ZAMBINI
• Órgão: PRODESP
• Ano: 2010
• Provas: ZAMBINI - 2010 - PRODESP - Engenheiro
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor; Transistor de potência

O IGBT é um

• A. transistor de efeito de campo.
• B. transistor de sinal.
• C. transistor de alta frequência.
• D. transistor bipolar de porta isolada.
• E. transistor de alteração de corrente.

Gabarito: D

Comentários

• GABARITO D

  IGBT = Isolated Gate Bipolar Transistor ou Transistor Bipolar de Porta Isolada

Questão 1946233

• Banca: Marinha
• Órgão: Quadro Complementar
• Ano: 2013
• Provas: Marinha - 2013 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo de potência (NOVO); Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Qual é o dispositivo utilizado na eletrônica de potência que é controlado por tensão, requer apenas uma pequena corrente de entrada, sendo sua velocidade de chaveamento muito alta e os tempos de chaveamento da ordem de nanossegundos, e que não tem os problemas do fenômeno de ruptura secundária, mas apresenta os problemas de descarga eletrostática?

• A. Diodo.
• B. BJT - transistor bipolar de junção.
• C. SIT - transistor de indução estática.
• D. MOSFET de potência.
• E. IGBT - transistor bipolar de porta isolada.

Gabarito: D

Questão 2392774

• Banca: NC-UFPR
• Órgão: COPEL
• Ano: 2017
• Provas: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Engenheiro Eletricista Júnior
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Tiristor; Transistor de potência

Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas características indicadas na coluna da esquerda.

1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em condução controlada por gatilho e bloqueio não controlado.

2. Tiristor bidirecional.

3. Transistor de potência que conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito de campo.

4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho.

( ) TRIAC.

( ) SCR.

( ) GTO.

( ) IGBT.

Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de cima para baixo.

• A. 2 – 1 – 4 – 3.
• B. 1 – 4 – 2 – 3.
• C. 1 – 2 – 3 – 4.
• D. 2 – 1 – 3 – 4.
• E. 3 – 2 – 4 – 1.

Gabarito: A

Comentários

• Gate Turn-Off Thyristor - Como o nome diz, o gate controla o desligamento (bloqueio) do GTO.

Questão 3606637

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: SEPLAG-DF
• Ano: 2008
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Um estudante deverá medir a tensão, a corrente e a potência em um circuito composto por uma carga puramente resistiva que é conectada a uma fonte de tensão independente. A respeito dos instrumentos apropriados para realizar essas medições, julgue o item subsequente.

O estudante, ao utilizar, o voltímetro e o wattímetro deverá ter o cuidado de não ligá-los em paralelo com a fonte de tensão, sob pena de danificá-los.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E