Questão 175135

• Banca: VUNESP
• Órgão: CETESB
• Ano: 2009
• Provas: VUNESP - 2009 - CETESB - Analista de TI - Analista de Suporte
• Disciplina: Arquitetura de Computadores
• Assuntos: Memória

Considere as seguintes afirmações relacionadas com a memória flash:

I. permite que os conteúdos de múltiplos endereços sejam apagados ou escritos em uma só operação;

II. é um tipo de memória não volátil e, por isso, precisa de energia para manter as informações nela armazenadas;

III. apresenta um tempo de acesso maior que o da memória DRAM, utilizada como memória principal em PCs.

Sobre as afirmações, pode-se dizer que está correto o contido em

• A. I, apenas.
• B. I e II, apenas.
• C. I e III, apenas.
• D. II e III, apenas.
• E. I, II e III.

Gabarito: C

Comentários

• O erro no item II :

  II. é um tipo de memória não volátil e, por isso, NÂO precisa de energia para manter as informações nela armazenadas;
   

• Como assim isso esta certo ??
  
  III. apresenta um tempo de acesso maior que o da memória DRAM, utilizada como memória principal em PCs. 
• Posso estar errado, mas acredito que se a afirmativa é sobre memória flash, na afirmação III:
  
  Apresenta um tempo de acesso maior que o da memória DRAM (ok), utilizada como mémoria principal em PCs (NÃO, se for referente à memória flash). => Sentença ERRADA.

• Memória flash é do tipo não volátil o que significa que não precisa de energia para manter as informações armazenadas no chip. Além isso, a memória flash oferece um tempo de acesso (embora não tão rápido como a memória volátil DRAM utilizadas para a memória principal em PCs) e melhor resistência do que discos rígidos.
  

• meu entendimento da III quando se diz "utilizada como memoria principal em PCS" foi em relação a função readyboost em que é possível usar uma memória flash como memória principal, e nesse caso ela é mais lenta que a DRAM (possui um tempo de acesso maior), sendo assim, afirmativa correta.
  

• Gabarito C

  Memória flash é um tipo de Dispositivo de armazenamento não volátil que pode ser eletricamente apagado e reprogramado.

  A Toshiba desenvolveu a Memória Flash a partir da Memória EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), em meados da década de 1980, cujos chips são semelhantes ao da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re-escrevível que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada em cartões de memória, flash drives USB (pen drives), SSD, MP3 Players, dispositivos como os iPods com suporte a vídeo, PDAs, armazenamento interno de câmeras digitais e celulares.

  Memória flash é do tipo não-volátil, o que significa que não precisa de energia para manter as informações armazenadas no chip. Além disso, a memória flash oferece um tempo de acesso rápido, embora não tão rápido como a memória volátil (DRAM utilizadas para a memória principal em PCs), e melhor resistência do que discos rígidos. Estas características explicam a popularidade da memória flash em dispositivos portáteis. Outra característica da memória flash é que, quando embaladas em "cartões de memória", são extremamente duráveis, sendo capazes de resistir a pressão intensa, variações extremas de temperatura, e até mesmo imersão em água.

  Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações (escrita/exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns chips firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas entre os setores.

   

   

   

  "Retroceder Nunca Render-se Jamais !"
  Força e Fé !
  Fortuna Audaces Sequitur !

• Pode ser apaga em blocos facilitando o processo dando mais velocidade ao se apagar um arquivo em um pendrive.