Questão 1935373

• Banca: Marinha
• Órgão: Quadro Complementar
• Ano: 2012
• Provas: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo na Engenharia Eletrônica; Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, responsável pela criação dos materiais dos tipos p e n, assinale a opção INCORRETA.

• A. Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado de material extrínseco.
• B. O material do tipo n é criado com a introdução de elementos de impureza com cinco elétrons de valência que são chamados de átomos doadores.
• C. O material do tipo p é obtido dopando-se um cristal de silício puro com átomos com três elétrons de valência, chamados átomos aceitadores.
• D. Em um material do tipo p, a lacuna é o portador minoritário, e o elétron é o portador majoritário.
• E. O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais tipo p e tipo n.

Gabarito: D

Comentários

• D) Correção: Em um material do tipo N, a lacuna é o portador minoritário, e o elétron é o portador majoritário.