Questão 1942744

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: Telebras
• Ano: 2015
• Provas: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo na Engenharia Eletrônica; Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Julgue o item a seguir, relativo a materiais elétricos e eletrônicos.

A dopagem em semicondutores consiste na introdução de átomos de impurezas, estranhos à estrutura cristalina do material intrínseco, a fim de que sejam alteradas as propriedades físicas do semicondutor.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• A dopagem pode ser feita com átomos doadores de elétrons (5 ou mais elétrons na camada de valência), o que daria origem a semicondutores tipo n.

  Ao revés, quando a dopagem é feita com átomos recebedores de elétrons (3 ou menos elétrons na camada de valência), dá-se origem a um semicondutor tipo p.