- ID
- 1942765
- Banca
- CESPE / CEBRASPE
- Órgão
- Telebras
- Ano
- 2015
- Provas
- Disciplina
- Engenharia Eletrônica
- Assuntos
Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.