Questão 1999684

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: POLÍCIA CIENTÍFICA - PE
• Ano: 2016
• Provas: CESPE - 2016 - POLÍCIA CIENTÍFICA - PE - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo na Engenharia Eletrônica; Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Assinale a opção correta acerca de diodos de silício.

• A. A ruptura por efeito Zener ocorre apenas em diodos fracamente dopados.
• B. No diodo Schottky, as camadas semicondutoras do tipo p e n são fortemente dopadas.
• C. Na figura a seguir, que mostra uma curva característica de um diodo, as regiões identificadas por A, B e C correspondem, respectivamente, à polarização inversa, disrupção e polarização direta.
  
• D. A tensão de polarização direta do diodo aumenta com o aumento da temperatura ambiente.
• E. A ruptura por avalanche baseia-se em um processo de ionização por impacto.

Gabarito: E

Comentários

• E

• O efeito avalanche acontece quando o diodo é polarizado inversamente, circulando no diodo uma corrente muito pequena denominada "corrente de fuga". A medida que a tensão inversa cresce, cresce também o potencial elétrico existente na região de transição (barreira de potencial). Esse campo pode acelerar suficientemente os elétrons livres, fazendo com que eles adquiram bastante energia, provocando choques (impactos) capazes de romper ligações covalentes.

  Ionização é o processo em que átomos ou um grupo de átomos neutros são carregados eletricamente, isto é, adquirem carga elétrica.