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ID
224992
Banca
FCC
Órgão
METRÔ-SP
Ano
2010
Provas
Disciplina
Engenharia Eletrônica
Assuntos

O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o

Alternativas
Comentários
  • IGBT é a combinação das características do MOSFET e TJB.