Questão 2388478

• Banca: IBFC
• Órgão: POLÍCIA CIENTÍFICA-PR
• Ano: 2017
• Provas: IBFC - 2017 - POLÍCIA CIENTÍFICA-PR - Perito Criminal - Área 4
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo na Engenharia Eletrônica; Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Preencha a lacuna do texto a seguir com a alternativa correta. Em muitas ocasiões trabalhamos com dispositivos ideais para a resolução de problemas, e posteriormente, adequamos os resultados para situações reais. Por exemplo, num diodo de silício ideal, a tensão direta nele vale __________.

• A. 0,7 mV
• B. Zero V
• C. 0,3 V
• D. 0,3 mV
• E. 0,7 V

Gabarito: E

Comentários

• GABARITO E

   

  0,7V para o diodo de silício ideal

  0,3V para o diodo de germânio ideal

• Se não me engano, essa questão foi anulada, pois poderia ser respondido também a alternativa b)

• Claramente se o diodo é ideal ele não tem queda de tensão. Mas os valores de 0,7 e 0,3 para Si e Ge são clássicos, no entanto, não são intrínsecos ao elemento ideal. -> marcaria letra B 100% das vezes. =/