Questão 2444431

• Banca: Aeronáutica
• Órgão: EEAR
• Ano: 2017
• Provas: Aeronáutica - 2017 - EEAR - Sargento da Aeronáutica - Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Diodo na Engenharia Eletrônica; Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

No processo de dopagem de um material semicondutor foram acrescentadas impurezas de fósforo, resultando em um material____________do tipo______ .

• A. intrínseco - N
  
• B. intrínseco - P
  
• C. extrínseco - N
  
• D. extrínseco - P
  

Gabarito: C