Questão 2530600

• Banca: UFMT
• Órgão: IF-MT
• Ano: 2015
• Provas: UFMT - 2015 - IF-MT - Professor - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Em relação ao transistor MosFet e seus modelos, é correto afirmar:

• A. Na região de triodo, a tensão entre o dreno e a fonte é maior que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds > Vgs-Vt).
• B. O amplificador porta comum apresenta ganho elevado, mas a sua impedância de entrada é baixa.
• C. Na região de saturação, a tensão entre o dreno e a fonte é menor que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds < Vgs-Vt).
• D. A corrente de dreno é controlada por tensão e a expressão matemática da corrente de dreno explicita que ela é diretamente proporcional ao comprimento do canal.

Gabarito: B