Questão 2628343

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: ABIN
• Ano: 2018
• Provas: CESPE - 2018 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência - Área 6
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Comentários

• O canal é N, ou seja, dreno e fonte deixando a porta+substrato com dopagem P.

• Sendo depleção, a porta não fica junto com o substrato, sendo todos os terminais (dreno, fonte e porta) dopados em N.