Os Transistores MOS são extremamente sensíveis à descargas estáticas, o que exige um cuidado especial no seu manuseio. Isto ocorre porque a porta ou gate é isolada do canal principal por uma finíssima camada de óxido de metal. O óxido é de silício e sua espessura é da ordem de milionésimos de milímetros.
A resistência de entrada deste dispositivo é extremamente elevada o que significa que qualquer carga que apareça no eletrodo de comporta pode significar uma tensão alta demais para ser isolada pela camada de óxido.
Este fato torna o componente muito sensível a excessos de tensão e também a qualquer carga elétrica que possa se transferir para a comporta ou outros terminais do componente.
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