Questão 323383

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: STM
• Ano: 2011
• Provas: CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.

O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: C

Comentários

• MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. É o tipo básico do FET, formado por uma camada de metal (ligada ao terminal externo do gate), uma camada de óxido no meio, e um material semicondutor. Quando tu aplica tensão no gate, o campo tem o efeito de criar, no semicondutor, um canal de profundidade modulável por essa tensão, permitindo maior ou menor passagem de corrente entre as outras regiões semicondutoras que possuem terminais externos ligados a elas (dreno e fonte).