Questão 338230

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INMETRO
• Ano: 2010
• Provas: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

• A. Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal N.
  
• B. No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
  
• C. O transistor MOS, quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.
  
• D. No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.
  
• E. Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.

Gabarito: D

Comentários

• Gabarito: D