Questão 542677

• Banca: FCC
• Órgão: TRT - 23ª REGIÃO (MT)
• Ano: 2011
• Provas: FCC - 2011 - TRT - 23ª REGIÃO (MT) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na configuração emissor comum com tensão de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,

• A. 5,0 V e 0,7 V
• B. 0,3 V e 5,0 V
• C. 2,5 V e 5,0 V
• D. 0,7 V e 0,3 V
• E. 0,7 V e 5,0 V

Gabarito: D