Questão 730057

• Banca: FCC
• Órgão: TRF - 2ª REGIÃO
• Ano: 2012
• Provas: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor de potência

Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo

• A. de elevada impedância, mas de baixa corrente.
• B. de baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.
• C. usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.
• D. usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.
• E. usado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.

Gabarito: D

Comentários

• A letra d) está correta, pois:
  
  O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP. Assim, a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP; no entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operação em freqüências de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères.
  Juntando o que há de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT é um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade.
  
  http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm