Questão 827266

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: TJ-RO
• Ano: 2012
• Provas: CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Transistor

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

• A. Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.
• B. Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
• C. Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
• D. Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
• E. Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

Gabarito: D

Comentários

• Esta questão apresenta uma grande fragilidade, pois:

  Se o transistor for do tipo depleção, a corrente de dreno ID é fornecida pela equação não linear de Shockley.

  Se o transistor for do tipo intensificação (enriquecimento), a corrente de dreno ID é fornecida pela equação linear da constante K da construção do dispositivo.

  Analisando as respostas, a única alternativa que atendem os dois tipos de MOSFET canal N é o item (d)