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Questões de Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica


ID
552502
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
ABIN
Ano
2010
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.

Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.

Alternativas

ID
1234924
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
TRE-GO
Ano
2005
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

O dispositivo denominado UJT

Alternativas

ID
1234936
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
TRE-GO
Ano
2005
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

O estudo, o desenvolvimento e as aplicações de dispositivos sensíveis à luz constituem o segmento conhecido como opto-eletrônica. Acerca desses dispositivos, assinale a opção incorreta.

Alternativas
Comentários
  • Por ser um diodo, Shockley possui apenas uma camada pn

  •  Alternativa A está errada, pois o diodo shockley não é fotosensível. Seu funcionamento se dá através de uma tensão suficiente para romper seu ponto de saturação. 


ID
1357873
Banca
IF-SC
Órgão
IF-SC
Ano
2014
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Um transistor NPN está ligado em configuração emissor comum. A base do transistor está conectada diretamente a uma fonte de tensão VB . O coletor está conectado a uma fonte de tensão Vc através de um resistor de coletor. O emissor está conectado a um resistor de emissor que, por sua vez, está conectado ao terra comum do circuito. Com base na configuração apresentada para o transistor NPN, julgue as asserções a seguir.

“O circuito é caracterizado como fonte de corrente

PORQUE

há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”

Assinale a alternativa CORRETA.

Alternativas
Comentários
  • A Segunda é justificativa da primeira porque a base estando alimentada permite a passagem de corrente emissor ➡️ coletor.

ID
1543129
Banca
COSEAC
Órgão
UFF
Ano
2014
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

A diferença básica entre as válvulas Klyston e as válvulas comuns (como os triodos), é que:

Alternativas

ID
2275741
Banca
IF-PE
Órgão
IF-PE
Ano
2016
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Sobre os transistores, pode-se afirmar que
I. um transistor tem três regiões dopadas: um emissor, uma base e um coletor. Existe uma região pn entre a base e o emissor. Essa parte do transistor é chamada de diodo emissor e a junção entre a base e o coletor é chamada de diodo coletor.
II. o gráfico da corrente da base versus tensão base-emissor tem a mesma aparência do gráfico de um diodo comum.
III. a definição do ganho de corrente é dada por ßcc = Ic / Ib .
IV. para uma operação normal, polariza-se o diodo emissor inversamente e o diodo coletor reversamente. Sob essas condições, o emissor injeta elétrons livres na base. A maioria desses elétrons livres passa do coletor para a base.
V. na zona de corte o transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor a corrente não é nula.
Está(ão) CORRETO(S) apenas

Alternativas

ID
2314789
Banca
IF-PE
Órgão
IF-PE
Ano
2017
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Quanto a amplificadores operacionais, analise as afirmativas abaixo.

I. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações inversoras.

II. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras.

III. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras, apenas para sinais com excursão dentro da polaridade da fonte.

IV. Amplificadores operacionais que usam a faixa completa de tensão (positiva e negativa) da alimentação simétrica são conhecidos como AmpOp Rail-to-Rail.

V. Slew Rate é a taxa máxima de variação da tensão de saída, em resposta à variação do sinal de entrada.

Estão CORRETAS apenas as afirmativas que constam nos itens

Alternativas

ID
2417662
Banca
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão
UFVJM-MG
Ano
2017
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

São características de um amplificador operacional ideal, EXCETO:

Alternativas

ID
2417665
Banca
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão
UFVJM-MG
Ano
2017
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

O ângulo de condução dos diodos de um retificador trifásico de onda completa não controlado com carga resistiva é igual a:

Alternativas

ID
2432419
Banca
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão
UFVJM-MG
Ano
2017
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Analise as afirmativas a seguir relativas ao emprego de tiristores em eletrônica de potência.
I. Comutação natural e comutação forçada são dois métodos de disparo de SCRs.
II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão, taxa de crescimento da tensão direta elevada e elevação acentuada da temperatura, embora estas formas devam ser evitadas.
III. O método de disparo de SCRs por pulso de gatilho é o preferencial, por permitir maior controlabilidade.
IV. O IGBT apresenta as vantagens de comando por corrente e alta queda de tensão VCE em condução.
Estão corretas as afirmativas:

Alternativas

ID
2945380
Banca
UFMG
Órgão
UFMG
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.

( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.

( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.

( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.

( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.

( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.

A sequência correta é:

Alternativas

ID
2998654
Banca
UFMA
Órgão
UFMA
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Assinale a alternativa que apresenta a funcionalidade de um diodo zener que se encontra na saída de um retificador e em paralelo com a carga elétrica.

Alternativas
Comentários
  • Olá!

    Gabarito: B

    Bons estudos!

    -Estude como se a prova fosse amanhã.


ID
3001234
Banca
IDECAN
Órgão
IF-PB
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

Alternativas
Comentários
  • A representação gráfica de curvas de coletor para diferentes valores de Ic é chamada de Curvas Características do Transistor.

    Assim, o efeito Early é resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de V.

    Porém, a partir da junção desse eixo do Vce até o início da estabilização da corrente do coletor (Ic), ocorre a região de saturação que, graficamente demonstrada, corresponde à zona em que a tensão Vce varia entre zero e alguns décimos de volt.

    Nesta zona a corrente do coletor (Ic) é proporcional à tensão Vce.

    Ismar Motta Moreira, 19596-0, ETB.


ID
3173887
Banca
Aeronáutica
Órgão
EEAR
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Assinale a alternativa com a afirmação correta acerca dos diodos.

Alternativas

ID
3173899
Banca
Aeronáutica
Órgão
EEAR
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Em se tratando de diodos bipolares, o fator de degradação nos informa

Alternativas

ID
3173902
Banca
Aeronáutica
Órgão
EEAR
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Um transistor não polarizado pode ser visto como dois diodos. Qual é o valor aproximado da barreira de potencial de cada diodo quando conectado a uma fonte de tensão externa no transistor?

Alternativas

ID
3173911
Banca
Aeronáutica
Órgão
EEAR
Ano
2019
Provas
Disciplina
Eletroeletrônica
Assuntos

Sabemos que um transistor bipolar tem quatro regiões de operação. Quais são essas regiões?

Alternativas