Questões de Transistor

Questão 552502

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: ABIN
• Ano: 2010
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2010 - ABIN - Agente Técnico de Inteligência – Área de Eletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.

Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Questão 1234924

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: TRE-GO
• Ano: 2005
• Provas: CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

O dispositivo denominado UJT

• A. possui três regiões dopadas.
• B. possui quatro terminais externos.
• C. apresenta emissor com dopagem muito fraca.
• D. apresenta dopagem n tanto na base quanto no emissor.
• E. possui duas bases e um emissor.

Gabarito: E

Questão 1357873

• Banca: IF-SC
• Órgão: IF-SC
• Ano: 2014
• Provas: IF-SC - 2014 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Um transistor NPN está ligado em configuração emissor comum. A base do transistor está conectada diretamente a uma fonte de tensão V_B . O coletor está conectado a uma fonte de tensão V_c através de um resistor de coletor. O emissor está conectado a um resistor de emissor que, por sua vez, está conectado ao terra comum do circuito. Com base na configuração apresentada para o transistor NPN, julgue as asserções a seguir.

“O circuito é caracterizado como fonte de corrente

PORQUE

há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”

Assinale a alternativa CORRETA.

• A. A primeira asserção é uma proposição falsa e a segunda, uma proposição verdadeira
• B. As duas asserções são proposições verdadeiras, mas a segunda não é justificativa correta da primeira
• C. A primeira asserção é uma proposição verdadeira e a segunda, uma proposição falsa.
• D. As duas asserções são proposições verdadeiras e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• E. Tanto a primeira quanto a segunda são proposições falsas.

Gabarito: D

Comentários

• A Segunda é justificativa da primeira porque a base estando alimentada permite a passagem de corrente emissor ➡️ coletor.

Questão 2275741

• Banca: IF-PE
• Órgão: IF-PE
• Ano: 2016
• Provas: IF-PE - 2016 - IF-PE - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Sobre os transistores, pode-se afirmar que

I. um transistor tem três regiões dopadas: um emissor, uma base e um coletor. Existe uma região pn entre a base e o emissor. Essa parte do transistor é chamada de diodo emissor e a junção entre a base e o coletor é chamada de diodo coletor.

II. o gráfico da corrente da base versus tensão base-emissor tem a mesma aparência do gráfico de um diodo comum.

III. a definição do ganho de corrente é dada por ß_{cc =} I_c / I_b .

IV. para uma operação normal, polariza-se o diodo emissor inversamente e o diodo coletor reversamente. Sob essas condições, o emissor injeta elétrons livres na base. A maioria desses elétrons livres passa do coletor para a base.

V. na zona de corte o transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor a corrente não é nula.

Está(ão) CORRETO(S) apenas

• A. I.
• B. II e IV.
• C. I, II e V.
• D. I, II e III.
• E. III, IV e V.

Gabarito: D

Questão 2432410

• Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos)
• Órgão: UFVJM-MG
• Ano: 2017
• Provas: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Transistor

São características típicas de um transistor bipolar operando como chave eletrônica em saturação, EXCETO:

• A. V_CE ≤ 0,4 V
• B. V_CB > 0 V
• C. Ganho forçado de corrente β_F < β
• D. V_BE aproximadamente igual a 0,8 V

Gabarito: B

Questão 2432419

• Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos)
• Órgão: UFVJM-MG
• Ano: 2017
• Provas: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Analise as afirmativas a seguir relativas ao emprego de tiristores em eletrônica de potência.

I. Comutação natural e comutação forçada são dois métodos de disparo de SCRs.

II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão, taxa de crescimento da tensão direta elevada e elevação acentuada da temperatura, embora estas formas devam ser evitadas.

III. O método de disparo de SCRs por pulso de gatilho é o preferencial, por permitir maior controlabilidade.

IV. O IGBT apresenta as vantagens de comando por corrente e alta queda de tensão V_CE em condução.

Estão corretas as afirmativas:

• A. II e III, apenas.
• B. II, III e IV, apenas.
• C. I e IV, apenas.
• D. I, II e III, apenas.

Gabarito: A

Questão 2945380

• Banca: UFMG
• Órgão: UFMG
• Ano: 2019
• Provas: UFMG - 2019 - UFMG - Técnico em Eletroeletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.

( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.

( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.

( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.

( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.

( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.

A sequência correta é:

• A. V, V, F, F, V.
• B. V, F, F, F, V.
• C. F, V, F, V, V
• D. V, F, V, V, F.

Gabarito: B

Questão 3001234

• Banca: IDECAN
• Órgão: IF-PB
• Ano: 2019
• Provas: IDECAN - 2019 - IF-PB - Técnico em Eletroeletrônica
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

• A. trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
  
• B. trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
  
• C. trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
  
• D. trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
  
• E. trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.
  

Gabarito: D

Comentários

• A representação gráfica de curvas de coletor para diferentes valores de Ic é chamada de Curvas Características do Transistor.

  Assim, o efeito Early é resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de V.

  Porém, a partir da junção desse eixo do Vce até o início da estabilização da corrente do coletor (Ic), ocorre a região de saturação que, graficamente demonstrada, corresponde à zona em que a tensão Vce varia entre zero e alguns décimos de volt.

  Nesta zona a corrente do coletor (Ic) é proporcional à tensão Vce.

  Ismar Motta Moreira, 19596-0, ETB.

Questão 3173902

• Banca: Aeronáutica
• Órgão: EEAR
• Ano: 2019
• Provas: Aeronáutica - 2019 - EEAR - Sargento da Aeronáutica - Eletricidade
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Um transistor não polarizado pode ser visto como dois diodos. Qual é o valor aproximado da barreira de potencial de cada diodo quando conectado a uma fonte de tensão externa no transistor?

• A. 3,4V.
• B. 2,5V.
• C. 0,7V.
• D. 1,8V.

Gabarito: C

Questão 3173911

• Banca: Aeronáutica
• Órgão: EEAR
• Ano: 2019
• Provas: Aeronáutica - 2019 - EEAR - Sargento da Aeronáutica - Eletricidade
• Disciplina: Eletroeletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica em Eletroeletrônica; Transistor

Sabemos que um transistor bipolar tem quatro regiões de operação. Quais são essas regiões?

• A. Ativa, corte, saturação e ruptura.
• B. Ativa, polarizada, saturação e ruptura.
• C. Emissiva, corte, saturação e polarizada.
• D. Emissiva, polarizada, saturação e ruptura.

Gabarito: A