Questão 1093951

• Banca: CESPE / CEBRASPE
• Órgão: INPE
• Ano: 2008
• Provas: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor; Transistor de potência

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.

• C. Certo
• E. Errado

Gabarito: E

Comentários

• Errado! BJT é controlado por corrente e não tensão!

• Cuidado! a tensão de bloqueio a que a assertiva se refere diz respeito ao estresse de tensão que o transistor suporte quando está em corte, e não ao modo de controle! No caso, quanto maior o nível de dopagem, o semicondutor torna-se um melhor condutor, quando devidamente levado a tal ponto de operação, porém suporta tensões de bloqueio menores. No TBJ de potência, o coletor possui uma região de dopagem reduzida, para suportar tensões maiores (o contrário do que diz a assertiva). Gab: errado

  referência:https://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/cap1.html