Questão 1616359

• Banca: ZAMBINI
• Órgão: PRODESP
• Ano: 2010
• Provas: ZAMBINI - 2010 - PRODESP - Engenheiro
• Disciplina: Engenharia Eletrônica
• Assuntos: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica; Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica; Transistor; Transistor de potência

O IGBT é um

• A. transistor de efeito de campo.
• B. transistor de sinal.
• C. transistor de alta frequência.
• D. transistor bipolar de porta isolada.
• E. transistor de alteração de corrente.

Gabarito: D

Comentários

• GABARITO D

  IGBT = Isolated Gate Bipolar Transistor ou Transistor Bipolar de Porta Isolada