A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por
É um dispositivo optoeletrônico:
"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o
Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.
Acerca de conceitos básicos de eletrônica analógica, sinais e
eletrônica digital, julgue os próximos itens.
Cada segmento de um mostrador de 7 segmentos consiste em um transistor de junção bipolar que acende quando devidamente polarizado em base comum.
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
Com relação a dispositivos elétricos e eletrônicos, julgue os itens
seguintes.
Para que um transistor bipolar de junção opere na região ativa, a junção entre a base e o emissor deve estar polarizada diretamente e a junção entre o coletor e a base deve estar polarizada reversamente.
No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.
Os circuitos integrados CMOS têm em sua constituição transistores NMOS e PMOS.
No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.
Os elementos básicos dos circuitos integrados TTL são os transistores de efeito de campo MOS tipo N.
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na configuração emissor comum com tensão de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,
O parâmetro híbrido do transistor bipolar que caracteriza a sua impedância de entrada na configuração coletor comum é:
No manual de circuitos integrados TTL, a especificação VIL refere-se à Tensão
Assinale abaixo a alternativa que contém o componente que na operação como amplificador, a junção base-coletor está reversamente polarizada:
Se em um transistor de junção bipolar polarizarmos, na região negativa, a junção emissor-base diretamente e a junção coletor-base inversamente, ele irá operar como:
São circuitos integrados lineares comerciais que funcionam como reguladores de tensão:
O parâmetro do transistor correspondente ao ganho direto de corrente na configuração emissor comum é:
Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.
Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção coletor-base estiverem reversamente polarizadas.
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Em alguns casos precisa-se de uma chave de potência com a menor resistência de condução possível para acionamento unidirecional no primeiro quadrante. A melhor chave a ser utilizada é :
Associe as colunas, relacionando o tipo de chave ao respectivo princípio de funcionamento.
Chave
(1) IGBT
(2) SCR
(3) TRIAC
(4) MOSFET
(5) GTO
(6) DIAC
Princípio de funcionamento
( ) conduz apenas quando se atinge a tensão de break-over.
( ) funciona como chave ao receber pulso no gatilho tanto no semiciclo negativo quanto no positivo da rede.
( ) liga e desliga pelo mesmo terminal do gatilho.
( ) um dos métodos para desligar é ser reversamente polarizado.
( ) tem o princípio de funcionamento por campo elétrico.
( ) possui circuito equivalente da associação de um MOSFET e um BJT.
A sequência está correta em.
O circuito Snnuber utilizado em um triac tem como função.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo.
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
O IGBT é um
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Qual é a região de operação de um transistor bipolar, quando este funciona como um amplificador linear?
Das famílias lógicas TTL apresentadas nas opções abaixo, assinale aquela que apresenta a menor velocidade de comutação.
Assinale a opção que corresponde a um dispositivo tiristor bidirecional.
Qual é o dispositivo eletrônico que possui a porta eletricamente isolada do canal condutor?
Com relação aos transistores de junção por efeito de campo (JFET), é correto afirmar que:
Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, responsável pela criação dos materiais dos tipos p e n, assinale a opção INCORRETA.
Com relação aos transistores bipolares, assinale a opção INCORRETA.
Um transistor tem uma corrente de coletor ( IC ) de 5 mA e uma corrente de base (IB) de 100 µA. O ganho de corrente do transistor ( βCC ) é
Analise as afirmativas a seguir sobre estrutura de transistores TJB (Transistor de junção bipolar) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Em TJBs, a corrente de _________ é, normalmente, desprezada por ser muito pequena, e apenas a corrente de _________ é considerada.
TJBs reais ___________ estrutura simétrica, portanto, se em um circuito o coletor e emissor forem
trocados por engano, o circuito resultante _________ mesmo efeito.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Sobre transistores de junção bipolar, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) A configuração em base comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
( ) A configuração em emissor comum pode fornecer um elevado ganho de tensão.
( ) A configuração em emissor comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
( ) A configuração em coletor comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
Julgue o item seguinte, referente a famílias de circuitos digitais, sistemas digitais e circuitos conversores de energia.
Julgue o item seguinte, referente a famílias de circuitos digitais, sistemas digitais e circuitos conversores de energia.
Acerca dos dispositivos eletrônicos, julgue o próximo item.
O transistor de unijunção (UJT) é um dispositivo de três
terminais. O silício pode ser utilizado na construção desse tipo
de componente.
No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (BJT), assinale a alternativa correta.
O transistor tem sua concepção construtiva, construído com os seguintes metais:
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de
campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor
bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
Sobre eletrônica analógica, assinale a afirmativa INCORRETA.
Famílias de circuitos lógicos têm características próprias quanto a complexidade de implementação, consumo de potência, frequência de operação, margem de ruído. Alguns desses tipos de famílias já se tornaram obsoletos ou passaram por evoluções e aperfeiçoamento. Com relação a esse assunto, julgue o próximo item.
Os transistores de efeito de campo do tipo depleção possuem um canal formado, mesmo com tensão porta-fonte, Vpf, nula. Contudo, se o valor dessa tensão for variado, é possível variar a resistência desse canal e, consequentemente, a corrente elétrica dreno-fonte, Idf.
Julgue o item seguinte, no que se refere a transistor bipolar e transistor de junção por efeito de campo (JFET).
O transistor JFET caracteriza-se como um transistor unipolar.
Na prática, ele é controlado por tensão, ao passo que um
transistor bipolar é controlado por corrente.
Associe as duas colunas relacionando os componentes de circuitos elétricos às suas respectivas funções.
Componentes
(1) TJB
(2) SCR
(3) TRIAC
Funções
( ) Componente eletrônico semicondutor constituído de quatro camadas, mantendo-se em condução até que sua corrente apresente nível menor que a corrente de manutenção.
( ) Componente eletrônico equivalente a dois retificadores controlados de silício ligados em antiparalelo.
( ) Componente eletrônico semicondutor, composto por três regiões, a saber; base, coletor e emissor separadas por duas junções p-n.
A sequência correta dessa associação é
Transistor Bipolar de Junção (TBJ) é um dispositivo de três terminais muito utilizado na indústria eletrônica. Com um vasto campo de aplicações, o TBJ pode ser utilizado desde a amplificação de sinais até o projeto de circuitos digitais e memórias. Avalie as afirmações sobre o TJB.
I. Possui apenas duas regiões semicondutoras: região do emissor e região do coletor.
II. Possui duas junções pn conectadas em série e em oposição.
III. Opera em três modos diferentes: ativo, corte e saturação.
Sobre o dispositivo TBJ está correto apenas o que se afirma em
Indique a opção que completa corretamente as lacunas da assertiva a seguir.
A adição de forma controlada de uma __________ como fósforo em um semicondutor intrínseco é chamada __________, e o fósforo é o __________, resultando em um silício tipo ______.
Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.
I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
Com relação às afirmativas é correto afirmar.
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (VD= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.
Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.
Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a
capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas
placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá
se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois
a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região
ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja
submetida à polarização reversa, e a junção entre base e
emissor seja polarizada diretamente.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser
fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de
dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa
importante por favorecer a minimização da recombinação dos
portadores majoritários e minoritários na base.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no
emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o
substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo
N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como
semicondutores do tipo P.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.